Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIJ438DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3
;
SIJ438DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIJ438DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIJ438DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ438DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала: 40В
    • Размерный ток: 80А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затратное время
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Изменение напряжений
    • Переключение цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ438DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.35mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    182 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9400 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69.4W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIJ438

Техническая документация

 SIJ438DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 13804 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    365 ₽
  • 10
    269 ₽
  • 100
    183 ₽
  • 1000
    142 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIJ438DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIJ438DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ438DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала: 40В
    • Размерный ток: 80А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое затратное время
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Изменение напряжений
    • Переключение цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ438DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.35mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    182 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9400 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69.4W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIJ438

Техническая документация

 SIJ438DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ISL9N308AP3N-CHANNEL POWER MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    ISL9N7030BLS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    198Кешбэк 29 баллов
    FDD6670AL_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    296Кешбэк 44 балла
    SI6466DQN-CHANNEL POWER MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    ISL9N310AD3N-CHANNEL POWER MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    HUF75945G3N-CHANNEL POWER MOSFET
    528Кешбэк 79 баллов
    SFI9Z14TUP-CHANNEL POWER MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    FDD5N50TM4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
    74Кешбэк 11 баллов
    SFR9024TFP-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    HUF76409D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SFS9Z34P-CHANNEL POWER MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    FDD6682_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    283Кешбэк 42 балла
    HUFA75329G3N-CHANNEL POWER MOSFET
    17 196Кешбэк 2 579 баллов
    SSW2N60BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    104Кешбэк 15 баллов
    HUF75307D3ST_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    IRFS640AN-CHANNEL POWER MOSFET
    135Кешбэк 20 баллов
    FDD5N50FTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    170Кешбэк 25 баллов
    FDD6690SN-CHANNEL POWER MOSFET
    187Кешбэк 28 баллов
    RF1K4915696N-CHANNEL POWER MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    IRFW840BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    107Кешбэк 16 баллов
    HUF75925P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    226Кешбэк 33 балла
    ISL9N308AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    IRFS720BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    HUFA76609D3ST_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    IRFR310BTFN-CHANNEL POWER MOSFET
    37Кешбэк 5 баллов
    HUF76121D3SN-CHANNEL POWER MOSFET
    126Кешбэк 18 баллов
    HUF76419D3STR492120A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
    150Кешбэк 22 балла
    IRFW530ATMN-CHANNEL POWER MOSFET
    69Кешбэк 10 баллов
    SFI9Z24TUP-CHANNEL POWER MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    SFR2955TFP-CHANNEL POWER MOSFET
    61Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП