Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SIJ450DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3
;
SIJ450DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIJ450DP-T1-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWEВсе характеристики

Минимальная цена SIJ450DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ450DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

  • Основные параметры:
    • Vds (Разрывное напряжение): 45 В
    • Ic (Максимальный ток коллектора): 25 А
    • Rds(on) (Сопротивление при прохождении тока в режиме открытия): 6.8 мО (при Ugs = 10 В)
    • Температурный коэффициент Rds(on): +2 мО/°C (при Ugs = 10 В)
    • Уровень напряжения включенного состояния (Ugs(th)): 2.7 В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкое сопротивление включенного состояния
    • Стабильные технические характеристики
    • Прочная конструкция корпуса
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения из-за тепловых характеристик
    • Требуют точного подбора и настройки для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Контроль тока в различных электронных схемах
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Передатчики сигнала
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ450DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    45 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Ta), 113A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5920 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SIJ450DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    367 ₽
  • 3000
    101 ₽
  • 6000
    95 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIJ450DP-T1-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWEВсе характеристики

Минимальная цена SIJ450DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ450DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

  • Основные параметры:
    • Vds (Разрывное напряжение): 45 В
    • Ic (Максимальный ток коллектора): 25 А
    • Rds(on) (Сопротивление при прохождении тока в режиме открытия): 6.8 мО (при Ugs = 10 В)
    • Температурный коэффициент Rds(on): +2 мО/°C (при Ugs = 10 В)
    • Уровень напряжения включенного состояния (Ugs(th)): 2.7 В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме открытия
    • Низкое сопротивление включенного состояния
    • Стабильные технические характеристики
    • Прочная конструкция корпуса
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения из-за тепловых характеристик
    • Требуют точного подбора и настройки для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Контроль тока в различных электронных схемах
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Передатчики сигнала
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ450DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    45 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Ta), 113A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5920 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    4.8W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SIJ450DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    351Кешбэк 52 балла
    IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    355Кешбэк 53 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    357Кешбэк 53 балла
    SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
    357Кешбэк 53 балла
    IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
    361Кешбэк 54 балла
    SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    365Кешбэк 54 балла
    SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    367Кешбэк 55 баллов
    IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    371Кешбэк 55 баллов
    SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    374Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП