Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIJ478DP-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIJ478DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 271.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ478DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIJ478DP-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1855 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIJ478

Техническая документация

SIJ478DP-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

9289 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
271 ₽
10
225 ₽
100
178 ₽
1000
136 ₽
6000
111 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIJ478DP-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIJ478DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 271.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ478DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIJ478DP-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1855 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIJ478

Техническая документация

SIJ478DP-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SIS890DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

247Кешбэк 37 баллов

DMN601K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

32.5Кешбэк 4 балла

IPP040N06N3GXKSA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

450Кешбэк 67 баллов

BUK9Y43-60E,115 MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56

140Кешбэк 21 балл

DMP2240UWQ-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323

106Кешбэк 15 баллов

IRFS9N60ATRLPBF MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

673Кешбэк 100 баллов

TN5325N3-G MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3

141Кешбэк 21 балл

IXTT6N120 MOSFET N-CH 1200V 6A TO268

2 737Кешбэк 410 баллов

IRFD320 MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP

347Кешбэк 52 балла

BSC886N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON

134Кешбэк 20 баллов

C3M0065090J-TR Транзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

4 241Кешбэк 636 баллов

C3M0280090J-TR SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

1 904Кешбэк 285 баллов

PSMN015-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

319Кешбэк 47 баллов

FCPF2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F

226Кешбэк 33 балла

IRFP90N20DPBF MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC

1 287Кешбэк 193 балла

IPP50R199CPXKSA1 MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3

565Кешбэк 84 балла

BUK95150-55A,127 MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB

62Кешбэк 9 баллов

HUF76407D3ST N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

151Кешбэк 22 балла

NTMFS5C430NLT3G MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN

812Кешбэк 121 балл

BSP296NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

181Кешбэк 27 баллов

IPP072N10N3GXKSA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

496Кешбэк 74 балла

MCH6336-TL-H MOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH

38Кешбэк 5 баллов

IRFB9N60APBF Транзистор: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

337Кешбэк 50 баллов

FDS6670A MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

81Кешбэк 12 баллов

CSD19535KTT MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

967Кешбэк 145 баллов

STP55NF06L Транзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB

364Кешбэк 54 балла

IRLB4132PBF Транзистор: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB

290Кешбэк 43 балла

STD70N6F3 MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

526Кешбэк 78 баллов

IRFS4410TRLPBF MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK

893Кешбэк 133 балла

FDD5N50NZTM Транзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

249Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Модули драйверов питания

Диоды выпрямительные - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - IGBT - модули

Триодные тиристоры - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Варикапы и Варакторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диодные мосты - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR

Полевые транзисторы - Одиночные

Биполярные транзисторы

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диодные мосты

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные диоды

IGBT транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Симисторы - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Диоды - мостовые выпрямители

Принадлежности

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды силовые

Тиристоры - TRIACs

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды - выпрямители - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Симисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали