Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR120DP-T1-RE3

SIR120DP-T1-RE3

SIR120DP-T1-RE3
;
SIR120DP-T1-RE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR120DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR120DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR120DP-T1-RE3

SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Максимальная токовая способность (ID): 24.7А
    • Пиковая токовая способность (ID(PP)): 106А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Объемный тип: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность при низком вольтаже
    • Эффективность работы даже при высоких температурах
    • Короткий канал обеспечивает быструю передачу сигнала
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется правильная проекция системы охлаждения для обеспечения стабильной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих высокой токовой способности и эффективности, таких как:
    • Приводы двигателей
    • Переключаемые источники питания
    • Автомобильные системы управления
    • Системы энергосбережения
    • Питание серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики SIR120DP-T1-RE3

Техническая документация

SIR120DP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5962 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    413 ₽
  • 10
    263 ₽
  • 100
    198 ₽
  • 500
    159 ₽
  • 3000
    130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR120DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR120DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR120DP-T1-RE3

SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Максимальная токовая способность (ID): 24.7А
    • Пиковая токовая способность (ID(PP)): 106А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Объемный тип: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность при низком вольтаже
    • Эффективность работы даже при высоких температурах
    • Короткий канал обеспечивает быструю передачу сигнала
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется правильная проекция системы охлаждения для обеспечения стабильной работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих высокой токовой способности и эффективности, таких как:
    • Приводы двигателей
    • Переключаемые источники питания
    • Автомобильные системы управления
    • Системы энергосбережения
    • Питание серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики SIR120DP-T1-RE3

Техническая документация

SIR120DP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории