SIR188LDP-T1-RE3

SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

• Основные параметры:
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение между дреном и собранием (V_DS): 60 В
  • Ток при V_GS = 10 В (I_D(on)): 18 А
  • Резистивность при V_GS = 10 В (R_DS(on)): 5.7 мОм
  • Максимальный ток дrena (I_D(max)): 20 А
  • Максимальная частота работы: 100 кГц
• Плюсы:
  • Высокая проводимость при низком напряжении на гейте (низкая R_DS(on))
  • Высокие значения тока при номинальном напряжении
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции
  • Высокая надежность и долговечность
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей
  • Требует дополнительного охлаждения при работе при больших токах
• Общее назначение:
  • Используется в различных электронных устройствах, требующих управления током
  • Способствует повышению эффективности в электропитании и преобразователях мощности
  • Используется в системах управления двигателей, инверторах и других приборах
• В каких устройствах применяется:
  • Преобразователи мощности
  • Инверторы
  • Драйверы двигателей
  • Электропитание устройств
  • Автомобильные системы