SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3 от Vishay Semiconductors

• MOSFET N-канальный
• Рабочее напряжение V_DS(on) = 30В
• Рейтингный ток I_D = 35А
• Пакет PPAK SO-8

Основные плюсы:

• Высокая надежность благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
• Малый размер благодаря компактному пакету PPAK SO-8.
• Низкое значение R_DS(on), что обеспечивает меньшие потери энергии при работе.
• Устойчивость к перегреву благодаря эффективной системе охлаждения.

Основные минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими аналогами.
• Требуется правильное проектирование системы охлаждения из-за высокой мощности.

Общее назначение:

• Автомобильные системы (например, регуляторы напряжения, системы управления двигателем).
• Питание электронных устройств (например, преобразователи напряжения, блоки питания).
• Промышленное оборудование (например, приводы, преобразователи).

Эти MOSFET часто используются там, где требуется высокая надежность и точность работы под высоким напряжением и током.