Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3
;
SIR418DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR418DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR418DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VDS(on)): 40В
    • Размер тока (ID(on)): 40А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Стабильность работы в различных условиях
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Стоимость может быть выше, чем у менее мощных моделей
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроллеры для преобразователей напряжения
    • Инверторы
    • Преобразователи частоты и амплитуды
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIR418DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR418DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 11991 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    293 ₽
  • 10
    208 ₽
  • 100
    149 ₽
  • 1000
    111 ₽
  • 6000
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR418DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR418DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД (VDS(on)): 40В
    • Размер тока (ID(on)): 40А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Стабильность работы в различных условиях
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
    • Стоимость может быть выше, чем у менее мощных моделей
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроллеры для преобразователей напряжения
    • Инверторы
    • Преобразователи частоты и амплитуды
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIR418DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR418DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории