Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3
;
SIR426DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR426DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR426DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Рейтингный ток (ID(on)): 30 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 V
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive токовая плотность
    • Низкое значение тока течения при отсутствии напряжения (low RDS(on))
    • Малые размеры за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная термическая подсистема для высоких рабочих токов и температур
    • Уязвимость к электрическому шуму (ESD)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Переключение токов в источниках питания
    • Защита электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленные контроллеры
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR426DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR426DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 23222 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    289 ₽
  • 10
    183 ₽
  • 500
    96 ₽
  • 3000
    77 ₽
  • 9000
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR426DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR426DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Рейтингный ток (ID(on)): 30 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 V
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive токовая плотность
    • Низкое значение тока течения при отсутствии напряжения (low RDS(on))
    • Малые размеры за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная термическая подсистема для высоких рабочих токов и температур
    • Уязвимость к электрическому шуму (ESD)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Переключение токов в источниках питания
    • Защита электронных схем от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленные контроллеры
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR426DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR426DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории