Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SIR616DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3
;
SIR616DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIR616DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR616DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR616DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 200В 20.2А PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Номинальный ток: 20.2А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии при работе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений без внешнего охлаждения
    • Требует правильного управления для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях как транзистор
    • Переключение и регулировка тока
    • Защита от перенапряжений
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Питание электронных устройств
    • Стабилизаторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR616DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28 nC @ 7.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1450 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIR616

Техническая документация

 SIR616DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1813 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    328 ₽
  • 10
    220 ₽
  • 500
    142 ₽
  • 5000
    127 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIR616DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR616DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR616DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 200В 20.2А PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Номинальный ток: 20.2А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии при работе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений без внешнего охлаждения
    • Требует правильного управления для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях как транзистор
    • Переключение и регулировка тока
    • Защита от перенапряжений
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Питание электронных устройств
    • Стабилизаторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR616DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28 nC @ 7.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1450 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIR616

Техническая документация

 SIR616DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIR186DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SI2337DS-T1-BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    IRFR9220TRPBF-BE3MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SQJ415EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SQJA04EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIRA50ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SI3499DV-T1-BE3P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SI2325DS-T1-BE3P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SISS10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
    293Кешбэк 43 балла
    SIRA74DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
    293Кешбэк 43 балла
    SQ4080EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
    294Кешбэк 44 балла
    SQJA46EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    298Кешбэк 44 балла
    SISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
    298Кешбэк 44 балла
    SIS106DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
    300Кешбэк 45 баллов
    SQD40052EL_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF630PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    SIR876BDP-T1-RE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
    300Кешбэк 45 баллов
    IRFR210PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SQJA96EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120TRPBF-BE3MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SIHF9520S-GE3MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SISS32LDN-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJA76EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SIHF530-GE3MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJ479EP-T1_BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    306Кешбэк 45 баллов
    SISS98DN-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
    306Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП