Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3
;
SIR624DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR624DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR624DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 200В
    • Максимальная токовая способность (ID): 18.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток утечки при открытом канале
    • Короткий канал для быстрой передачи сигнала
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокие токовые потери при открытом канале
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов
    • Изменение состояния цепей при изменении напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIR624DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR624DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 17423 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    275 ₽
  • 10
    193 ₽
  • 500
    103 ₽
  • 5000
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR624DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR624DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 200В
    • Максимальная токовая способность (ID): 18.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток утечки при открытом канале
    • Короткий канал для быстрой передачи сигнала
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокие токовые потери при открытом канале
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов
    • Изменение состояния цепей при изменении напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIR624DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR624DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории