Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
VISHAY
Артикул:
SIR696DP-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR696DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 339.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR696DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIR696DP-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
125 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1410 pF @ 75 V
Рассеивание мощности (Макс)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR696

Техническая документация

SIR696DP-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

13238 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
339 ₽
10
241 ₽
100
170 ₽
1000
125 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
VISHAY
Артикул:
SIR696DP-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR696DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 339.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR696DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIR696DP-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
125 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1410 pF @ 75 V
Рассеивание мощности (Макс)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8
Корпус
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR696

Техническая документация

SIR696DP-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IPA80R450P7XKSA1 Транзистор: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F

422Кешбэк 63 балла

FCPF165N65S3L1 MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

290Кешбэк 43 балла

NVMJS1D4N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK

714Кешбэк 107 баллов

RSF015N06FRATL MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3

89Кешбэк 13 баллов

STWA75N60DM6 MOSFET N-CH 600V 72A TO247

2 837Кешбэк 425 баллов

NVMFSC0D9N04CL MOSFET N-CH 40V 50A/316A 8DFN

912Кешбэк 136 баллов

TSM9ND50CI MOSFET N-CH 500V 9A ITO220

680Кешбэк 102 балла

NVMFSC0D9N04C MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN

1 047Кешбэк 157 баллов

IRF241 MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE

353Кешбэк 52 балла

IPDD60R102G7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10

1 012Кешбэк 151 балл

CSD16327Q3T MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON

290Кешбэк 43 балла

STMFS5C628NLT1G MOSFET N-CH 60V

304Кешбэк 45 баллов

MSC035SMA070S MOSFET N-CH 700V D3PAK

1 661Кешбэк 249 баллов

BUK9Y13-60ELX SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM

441Кешбэк 66 баллов

C3M0045065D GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

4 196Кешбэк 629 баллов

FDS3572_NL N-CHANNEL POWER MOSFET

521Кешбэк 78 баллов

FCPF165N65S3R0L MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

310Кешбэк 46 баллов

SSP2N60A N-CHANNEL POWER MOSFET

84Кешбэк 12 баллов

RFL1N15 N-CHANNEL POWER MOSFET

293Кешбэк 43 балла

UPA2701GR-E1-AT MOSFET N-CH 30V 14A 8PSOP

364Кешбэк 54 балла

SUM90330E-GE3 MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263

340Кешбэк 51 балл

UPA2451TL-E1-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

207Кешбэк 31 балл

SQ4050EY-T1_GE3 MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC

230Кешбэк 34 балла

SCT4036KEC11 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

2 710Кешбэк 406 баллов

RJK03K2DPA-00#J5A N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

187Кешбэк 28 баллов

BUK9M5R0-40HX MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33

347Кешбэк 52 балла

NVMYS6D2N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

302Кешбэк 45 баллов

IAUT300N08S5N012ATMA2 MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

917Кешбэк 137 баллов

PMN70EPEX MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP

105Кешбэк 15 баллов

DMP2043UCA3-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3

125Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Варикапы и Варакторы

Симисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диодные мосты

IGBT транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Высокочастотные диоды

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диодные мосты - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды - ВЧ

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Симисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды - выпрямители - одиночные

Диоды силовые

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - JFET

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - SCR - модули

Принадлежности

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Драйверы питания - Модули

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали