Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3
;
SIR818DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR818DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR818DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 30В
    • Размер токоведущего канала: 50А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый сопротивление вольтамперная характеристика
    • Низкое напряжение включения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме перехода
    • Необходимо учитывать тепловые потери и термическую защиту
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Источники питания
    • Программируемые регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства для домашнего использования
    • Инверторы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIR818DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR818DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1560 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    156 ₽
  • 10
    109 ₽
  • 3000
    99 ₽
  • 6000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR818DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR818DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 30В
    • Размер токоведущего канала: 50А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый сопротивление вольтамперная характеристика
    • Низкое напряжение включения
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме перехода
    • Необходимо учитывать тепловые потери и термическую защиту
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Источники питания
    • Программируемые регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства для домашнего использования
    • Инверторы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIR818DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR818DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории