Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3
;
SIRA01DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA01DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 331.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA01DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 26А (для одного канала), 60А (для двух каналов)
    • Форм-фактор: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое значение Rds(on)
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Долгий срок службы из-за высокой надежности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах энергоэффективности
    • Медицинских аппаратах
    • Устройствах для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA01DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA01DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 11646 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    331 ₽
  • 10
    211 ₽
  • 100
    142 ₽
  • 1000
    103 ₽
  • 6000
    84 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA01DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 331.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA01DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 26А (для одного канала), 60А (для двух каналов)
    • Форм-фактор: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое значение Rds(on)
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Долгий срок службы из-за высокой надежности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах энергоэффективности
    • Медицинских аппаратах
    • Устройствах для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA01DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA01DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории