Вход/Регистрация
SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SIRA01DP-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8Все характеристики
Минимальная цена SIRA01DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA01DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 11646 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1357 ₽
- 10226 ₽
- 100152 ₽
- 1000109 ₽
- 600091 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SIRA01DP-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8Все характеристики
Минимальная цена SIRA01DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 357.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA01DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
- Основные параметры:
- Тип: MOSFET (P-канальный)
- Номинальное напряжение: 30В
- Номинальный ток: 26А (для одного канала), 60А (для двух каналов)
- Форм-фактор: PPAK SO8
- Плюсы:
- Высокая токовая способность
- Низкое значение Rds(on)
- Малый размер и легкость в интеграции
- Долгий срок службы из-за высокой надежности
- Минусы:
- Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
- Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
- Общее назначение:
- Использование в силовых конвертерах
- Применение в источниках питания
- Работа в системах управления электропитанием
- Инверторах и преобразователях частоты
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильных системах
- Системах энергоэффективности
- Медицинских аппаратах
- Устройствах для домашнего использования
Выбрано: Показать
Характеристики SIRA01DP-T1-GE3
Техническая документация
SIRA01DP-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb