Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3
;
SIS415DNT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS415DNT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS415DNT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 — это полупроводниковый транзистор с полевым эффектом (MOSFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 20В
    • Ток дrain (ID): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность при низком напряжении управления
    • Малое энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание для электроники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIS415DNT-T1-GE3

Техническая документация

SIS415DNT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3554 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    180 ₽
  • 100
    85 ₽
  • 1000
    63 ₽
  • 6000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS415DNT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS415DNT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 — это полупроводниковый транзистор с полевым эффектом (MOSFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 20В
    • Ток дrain (ID): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность при низком напряжении управления
    • Малое энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Существует риск повреждения при неправильном использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание для электроники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIS415DNT-T1-GE3

Техническая документация

SIS415DNT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории