Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3
;
SIS435DNT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS435DNT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS435DNT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение на канале: 20В
    • Разрядный ток: 30А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive ток способность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие температурные потери могут быть проблемой при длительной нагрузке
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергосбережения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SIS435DNT-T1-GE3

Техническая документация

SIS435DNT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4579 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    115 ₽
  • 100
    89 ₽
  • 1000
    63 ₽
  • 6000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS435DNT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS435DNT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение на канале: 20В
    • Разрядный ток: 30А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive ток способность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие температурные потери могут быть проблемой при длительной нагрузке
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергосбережения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SIS435DNT-T1-GE3

Техническая документация

SIS435DNT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории