Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIS438DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3
;
SIS438DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS438DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS438DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS438DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3 — это MOSFET N-канального типа от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 20В
  • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 16А
  • Пакет: PPAK 1212-8

Плюсы:

  • Высокая conductive ток способность
  • Низкое значение VDS(on)
  • Компактный размер пакета
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного охлаждения при высоких нагрузках
  • Могут быть ограничения по использованию в некоторых приложениях из-за ограничений по температуре

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с высокой скоростью перехода
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах, требующих точного управления током

Применяется в:

  • Источниках питания для ноутбуков и других портативных устройств
  • Автомобильных системах
  • Преобразователях энергии
  • Драйверах для светодиодных осветительных приборов
Выбрано: Показать

Характеристики SIS438DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    880 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS438

Техническая документация

 SIS438DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    в наличии
  • 1608 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    234 ₽
  • 10
    147 ₽
  • 500
    75 ₽
  • 3000
    59 ₽
  • 9000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIS438DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS438DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS438DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3 — это MOSFET N-канального типа от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 20В
  • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 16А
  • Пакет: PPAK 1212-8

Плюсы:

  • Высокая conductive ток способность
  • Низкое значение VDS(on)
  • Компактный размер пакета
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Требует дополнительного термического дизайна для эффективного охлаждения при высоких нагрузках
  • Могут быть ограничения по использованию в некоторых приложениях из-за ограничений по температуре

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с высокой скоростью перехода
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах, требующих точного управления током

Применяется в:

  • Источниках питания для ноутбуков и других портативных устройств
  • Автомобильных системах
  • Преобразователях энергии
  • Драйверах для светодиодных осветительных приборов
Выбрано: Показать

Характеристики SIS438DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    880 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS438

Техническая документация

 SIS438DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SFT1440-TL-EMOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
    97Кешбэк 14 баллов
    IPL65R165CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
    557Кешбэк 83 балла
    SI3457CDV-T1-E3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    NTLJS3A18PZTXGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    101Кешбэк 15 баллов
    AON2406MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
    169Кешбэк 25 баллов
    SBSS84LT1GMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    67Кешбэк 10 баллов
    NVA4001NT1GMOSFET N-CH 20V SC75
    78Кешбэк 11 баллов
    NTMFS4926NET1GMOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
    101Кешбэк 15 баллов
    IRLZ34NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
    177Кешбэк 26 баллов
    FQP7N65CMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
    226Кешбэк 33 балла
    SI4164DY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
    350Кешбэк 52 балла
    SI7858ADP-T1-E3MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
    916Кешбэк 137 баллов
    FDD390N15AMOSFET N-CH 150V 26A DPAK
    186Кешбэк 27 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    422Кешбэк 63 балла
    SI4154DY-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
    142Кешбэк 21 балл
    AUIRFZ48NMOSFET N-CH 55V 69A TO220AB
    331Кешбэк 49 баллов
    NVS4001NT1GMOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
    78Кешбэк 11 баллов
    NTTFS4C05NTWGMOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
    329Кешбэк 49 баллов
    SCH1430-TL-WSCH1430 - POWER MOSFET, 20V, 2A,
    32Кешбэк 4 балла
    HUF75545S3STMOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
    655Кешбэк 98 баллов
    PMN52XPXMOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
    95Кешбэк 14 баллов
    SI2329DS-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
    133Кешбэк 19 баллов
    DMN65D8LFB-7MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
    49Кешбэк 7 баллов
    IPP65R420CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
    321Кешбэк 48 баллов
    CPH3457-TL-HMOSFET N-CH 30V 3A 3CPH
    40Кешбэк 6 баллов
    NVD4808NT4G
    47.5Кешбэк 7 баллов
    FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
    274Кешбэк 41 балл
    FQA7N80CMOSFET N-CH 800V 7A TO3P
    304Кешбэк 45 баллов
    DMN3051L-7MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
    110Кешбэк 16 баллов
    NTTFS5C673NLTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    84Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП