Вход/Регистрация
SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
SISS10DN-T1-GE3
SISS10DN-T1-GE3
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SISS10DN-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8SВсе характеристики
Минимальная цена SISS10DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS10DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 10509 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1293 ₽
- 10185 ₽
- 50097 ₽
- 300075 ₽
- 2400070 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SISS10DN-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8SВсе характеристики
Минимальная цена SISS10DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS10DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SISS10DN-T1-GE3
SISS10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
- Основные параметры:
- Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 2.5 V
- Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 40 V
- Максимальный ток (ID): 60 A
- Пакет: PPAK 1212-8S
- Плюсы:
- Высокая conductiveefficiency
- Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету PPAK
- Стабильная работа при различных температурах
- Компактность и надежность
- Минусы:
- Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
- Некоторые модели могут быть чувствительны к влажности
- Общее назначение: Используется для управления током в электрических цепях, особенно в приложениях с высокими токами и напряжениями.
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы
- Системы управления двигателем
- Инверторы и преобразователи
- Промышленное оборудование
- Мощные источники питания
Выбрано: Показать
Характеристики SISS10DN-T1-GE3
Техническая документация
SISS10DN-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb