Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3
;
SISS12DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS12DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 335.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS12DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 40В
    • Максимальный ток проводимости (ID) - 37.5А (при TC = 25°C) / 60А (при TC = 250°C)
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность при низком сопротивлении
    • Доступен в компактном пакете PPAK
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
    • Могут быть проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах
    • Системах управления двигателем
    • Электронных устройствах с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SISS12DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS12DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 16918 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    335 ₽
  • 10
    212 ₽
  • 500
    107 ₽
  • 5000
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS12DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 335.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS12DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 40В
    • Максимальный ток проводимости (ID) - 37.5А (при TC = 25°C) / 60А (при TC = 250°C)
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность при низком сопротивлении
    • Доступен в компактном пакете PPAK
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
    • Могут быть проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах
    • Системах управления двигателем
    • Электронных устройствах с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SISS12DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS12DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории