Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

SISS30LDN-T1-GE3

В избранное
В сравнение

SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3

;

SISS30LDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SISS30LDN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SISS30LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS30LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK

Основные параметры:

Номинальное напряжение: 80В
Номинальный ток: 16А
Размеры пакета: PPAK
Тип: N-канальный MOSFET

Плюсы:

Высокая скорость включения и выключения
Низкий ток утечки
Устойчивость к перенапряжению
Малый размер и легкость в установке

Минусы:

Необходимо учесть емкость затвора при проектировании
Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках

Общее назначение:

Использование в источниках питания
Применение в инверторах
Контроль мощности в системах управления
Изоляция сигналов в цифровых системах

В каких устройствах применяется:

Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
Автомобильная электроника
Мощные системы управления двигателей
Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SISS30LDN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8S
Корпус
PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number
SISS30

Техническая документация

SISS30LDN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

4560 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
338 ₽
10
217 ₽
100
145 ₽
1000
106 ₽
6000
86 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SISS30LDN-T1-GE3
Описание:
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SISS30LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS30LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS30LDN-T1-GE3

SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK

Основные параметры:

Номинальное напряжение: 80В
Номинальный ток: 16А
Размеры пакета: PPAK
Тип: N-канальный MOSFET

Плюсы:

Высокая скорость включения и выключения
Низкий ток утечки
Устойчивость к перенапряжению
Малый размер и легкость в установке

Минусы:

Необходимо учесть емкость затвора при проектировании
Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках

Общее назначение:

Использование в источниках питания
Применение в инверторах
Контроль мощности в системах управления
Изоляция сигналов в цифровых системах

В каких устройствах применяется:

Мобильные устройства (ноутбуки, смартфоны)
Автомобильная электроника
Мощные системы управления двигателей
Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SISS30LDN-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8S
Корпус
PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number
SISS30

Техническая документация

SISS30LDN-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SQD100N02-3M5L_GE3 MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

408Кешбэк 61 балл

SQ4410EY-T1_BE3 MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

307Кешбэк 46 баллов

SIR638ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

449Кешбэк 67 баллов

SQJQ148ER-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

629Кешбэк 94 балла

SIDR570EP-T1-RE3 N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

655Кешбэк 98 баллов

SQJQ112ER-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

881Кешбэк 132 балла

SISA24DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8

248Кешбэк 37 баллов

SIR104DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK

583Кешбэк 87 баллов

SIS782DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

186Кешбэк 27 баллов

SISS30LDN-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK

338Кешбэк 50 баллов

SIRA52DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

362Кешбэк 54 балла

SIR140DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK

430Кешбэк 64 балла

SQA700CEJW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

154Кешбэк 23 балла

SUM70030E-GE3 MOSFET N-CH 100V 150A TO263

734Кешбэк 110 баллов

SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

401Кешбэк 60 баллов

SQD07N25-350H_GE3 MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

417Кешбэк 62 балла

SQS484CENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

197Кешбэк 29 баллов

SIHK075N60E-T1-GE3 E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

1 440Кешбэк 216 баллов

SQ4483EY-T1_BE3 MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

335Кешбэк 50 баллов

SQM60030E_GE3 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

890Кешбэк 133 балла

SIR608DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK

445Кешбэк 66 баллов

SQ4005EY-T1_BE3 MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC

283Кешбэк 42 балла

SIDR510EP-T1-RE3 N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

686Кешбэк 102 балла

SIR104ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

506Кешбэк 75 баллов

SQS462EN-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

287Кешбэк 43 балла

SIHD180N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

656Кешбэк 98 баллов

SIA108DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

237Кешбэк 35 баллов

SQJQ131EL-T1_GE3 AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)

791Кешбэк 118 баллов

SIHD690N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

322Кешбэк 48 баллов

SQ9407EY-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

316Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды выпрямительные - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Принадлежности

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диодные мосты

Диодные мосты - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Высокочастотные диоды

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды силовые

IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Полевые транзисторы - Одиночные

Тиристоры - SCR

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Симисторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - Специального назначения

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды выпрямительные - Сборки

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - IGBT - одиночные

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы - IGBT - модули

Тиристоры - TRIACs

Симисторы - Модули

Транзисторы - JFET

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды - ВЧ

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали