Вход/Регистрация
SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
SISS32LDN-T1-GE3
SISS32LDN-T1-GE3
- Производитель:Vishay Siliconix
- Артикул:SISS32LDN-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKВсе характеристики
Минимальная цена SISS32LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS32LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 11972 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1304 ₽
- 10209 ₽
- 100141 ₽
- 1000102 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay Siliconix
- Артикул:SISS32LDN-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKВсе характеристики
Минимальная цена SISS32LDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS32LDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SISS32LDN-T1-GE3
SISS32LDN-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с низкимresholdом) производства Vishay Siliconix. Основные параметры:
- Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 80В
- Номинальный ток при VDS(on): 17.4А
- Пиковый ток при VDS(on): 63А
- Форм-фактор: PPAK
Плюсы:
- Высокая проводимость при номинальном токе
- Низкий ток срабатывания
- Малый размер и легкость благодаря компактному корпусу PPAK
- Высокая надежность и стабильность работы
Минусы:
- Требуется дополнительное охлаждение при работе на пиковых нагрузках
- Высокие потери тепла при высоких значениях тока
Общее назначение: SISS32LDN-T1-GE3 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкий ток срабатывания. Применяется в:
- Источниках питания
- Переключаемых источниках питания (PFC)
- Приводах двигателей
- Автомобильных системах
- Мощных линиях управления
Выбрано: Показать
Характеристики SISS32LDN-T1-GE3
Техническая документация
SISS32LDN-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb