SISS52DN-T1-GE3

SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Номинальное напряжение: 30В
• Максимальный ток при непрерывной нагрузке (ID): 47.1А
• Максимальный ток при импульсном режиме (di/dt): 162А
• Пакет: PPAK
• Плюсы:
• Высокая мощность и быстродействие
• Эффективная работа при высоких температурах
• Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK
• Устойчивость к импульсным нагрузкам
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует точного проектирования системы охлаждения для работы при максимальных токах
• Общее назначение:
• Использование в силовых преобразователях и инверторах
• Работа в источниках питания
• Применение в системах управления двигателем
• Использование в сетевых адаптерах и других электронных устройствах, требующих больших токов
• В каких устройствах применяется:
• Сетевые адаптеры и зарядные устройства
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Автомобильные электронные системы
• Системы управления двигателем
• Промышленные источники питания