Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3
;
SISS80DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SISS80DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS80DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 20В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 58.3А
    • Максимальный ток прямого тока при высокой частоте (ID(20kHz)): 210А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к тепловым циклам
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для работы при максимальных нагрузках
    • Существует риск перегрева при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных преобразователях питания
    • Применение в инверторах и других электротехнических устройствах
    • Интеграция в системы управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи питания
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SISS80DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS80DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5944 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    424 ₽
  • 10
    270 ₽
  • 15
    241 ₽
  • 25
    211 ₽
  • 75
    167 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SISS80DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SISS80DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 20В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(on)): 58.3А
    • Максимальный ток прямого тока при высокой частоте (ID(20kHz)): 210А
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к тепловым циклам
    • Малый размер и легкость интеграции
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для работы при максимальных нагрузках
    • Существует риск перегрева при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных преобразователях питания
    • Применение в инверторах и других электротехнических устройствах
    • Интеграция в системы управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи питания
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SISS80DN-T1-GE3

Техническая документация

SISS80DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории