Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

SIZ348DT-T1-GE3

В избранное
В сравнение

SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3

;

SIZ348DT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIZ348DT-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIRВсе характеристики

Минимальная цена SIZ348DT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 319.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIZ348DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Основные параметры:

Тип: MOSFET DUAL N-CHANNEL

Номинальное напряжение блокировки: 30В

Потребляемая мощность: до 15 Вт на пару

Рабочий ток: до 6 А на канал

Частота работы: до 200 кГц

Плюсы:

Высокие рабочие характеристики

Долговечность

Устойчивость к перегреву

Малый размер и легкость в установке

Минусы:

Необходимо дополнительное охлаждение при высокой нагрузке

Стоимость может быть выше по сравнению с простыми транзисторами

Общее назначение:

Использование в силовых цепях

Регулирование напряжения

Передача и управление током

В каких устройствах применяется:

Автомобильная электроника

Инверторы для питания

Промышленное оборудование

Электронные устройства с высокой мощностью

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIZ348DT-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора
Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.12mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 15V
Рассеивание мощности
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
8-PowerWDFN
Исполнение корпуса
8-Power33 (3x3)
Base Product Number
SIZ348

Техническая документация

SIZ348DT-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

4051 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
319 ₽
10
203 ₽
100
136 ₽
1000
98 ₽
6000
80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIZ348DT-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIRВсе характеристики

Минимальная цена SIZ348DT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 319.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIZ348DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Основные параметры:

Тип: MOSFET DUAL N-CHANNEL

Номинальное напряжение блокировки: 30В

Потребляемая мощность: до 15 Вт на пару

Рабочий ток: до 6 А на канал

Частота работы: до 200 кГц

Плюсы:

Высокие рабочие характеристики

Долговечность

Устойчивость к перегреву

Малый размер и легкость в установке

Минусы:

Необходимо дополнительное охлаждение при высокой нагрузке

Стоимость может быть выше по сравнению с простыми транзисторами

Общее назначение:

Использование в силовых цепях

Регулирование напряжения

Передача и управление током

В каких устройствах применяется:

Автомобильная электроника

Инверторы для питания

Промышленное оборудование

Электронные устройства с высокой мощностью

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIZ348DT-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора
Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.12mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 15V
Рассеивание мощности
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
8-PowerWDFN
Исполнение корпуса
8-Power33 (3x3)
Base Product Number
SIZ348

Техническая документация

SIZ348DT-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SIZ346DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33

211Кешбэк 31 балл

SIZ340BDT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

213Кешбэк 31 балл

SI4946CDY-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

230Кешбэк 34 балла

SIZ342ADT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

236Кешбэк 35 баллов

SI7972DP-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

245Кешбэк 36 баллов

SQJ946EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

247Кешбэк 37 баллов

SIZ320DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

253Кешбэк 37 баллов

SQJB70EP-T1_BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

262Кешбэк 39 баллов

SQJB68EP-T1_BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

266Кешбэк 39 баллов

SI7223DN-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

275Кешбэк 41 балл

SQJB70EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

281Кешбэк 42 балла

SQJ992EP-T2_GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

281Кешбэк 42 балла

SQS944ENW-T1_GE3 MOSFET N-CHAN 40V

281Кешбэк 42 балла

SQJB04ELP-T1_GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M

283Кешбэк 42 балла

SQJB68EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

285Кешбэк 42 балла

SQ4946CEY-T1_GE3 Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (

291Кешбэк 43 балла

SI6562CDQ-T1-BE3 Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF

294Кешбэк 44 балла

SIS590DN-T1-GE3 Транзистор: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

294Кешбэк 44 балла

SQJ912DEP-T1_GE3 Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (

298Кешбэк 44 балла

SQJ912BEP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

298Кешбэк 44 балла

SQJB02ELP-T1_GE3 Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (

310Кешбэк 46 баллов

SQJ968EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

310Кешбэк 46 баллов

SQJ570EP-T1_BE3 Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175

310Кешбэк 46 баллов

SQJ958EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

312Кешбэк 46 баллов

SQ9945BEY-T1_BE3 Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

312Кешбэк 46 баллов

SQJ956EP-T1_GE3 Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

312Кешбэк 46 баллов

SIZ340ADT-T1-GE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

312Кешбэк 46 баллов

SIZ350DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

317Кешбэк 47 баллов

SQJ952EP-T1_BE3 Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

319Кешбэк 47 баллов

SIZ348DT-T1-GE3 Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

319Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Полевые транзисторы - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Варикапы и Варакторы

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

IGBT транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Одиночные биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Модули драйверов питания

Тиристоры - SCR

Транзисторные модули

Модули драйверов питания

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы специального назначения

Сборки биполярных транзисторов

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - JFET

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диодные мосты

Тиристоры - SCR - модули

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Одиночные IGBT транзисторы

Принадлежности для дискретных полупроводников

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Симисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Симисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды - ВЧ

Модули триодных тиристоров

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Высокочастотные диоды

Одиночные триодные тиристоры

Диоды силовые

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды - мостовые выпрямители

Биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали