Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
SMA6010
  • В избранное
  • В сравнение
SMA6010

SMA6010

SMA6010
;
SMA6010

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Sanken Electric USA Inc.
  • Артикул:
    SMA6010
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIPВсе характеристики

Минимальная цена SMA6010 при покупке от 1 шт 1017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMA6010 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMA6010

SMA6010 Sanken Electric USA Inc. Транзистор: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN и PNP
    • Рейтинг по напряжению: 60В
    • Количество выводов: 12 (12SIP)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость срабатывания
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Переключатели нагрузки
    • Источники питания
    • Цифровые управляющие элементы
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Приборах контроля качества
    • Домотехнике
    • Производственных системах автоматизации
    • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики SMA6010

  • Тип транзистора
    3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 6mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    2000 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    4W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    12-SIP
  • Исполнение корпуса
    12-SIP

Техническая документация

 SMA6010.pdf
pdf. 0 kb
  • 201 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 017 ₽
  • 18
    618 ₽
  • 108
    481 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Sanken Electric USA Inc.
  • Артикул:
    SMA6010
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIPВсе характеристики

Минимальная цена SMA6010 при покупке от 1 шт 1017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMA6010 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMA6010

SMA6010 Sanken Electric USA Inc. Транзистор: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN и PNP
    • Рейтинг по напряжению: 60В
    • Количество выводов: 12 (12SIP)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость срабатывания
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Переключатели нагрузки
    • Источники питания
    • Цифровые управляющие элементы
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Приборах контроля качества
    • Домотехнике
    • Производственных системах автоматизации
    • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики SMA6010

  • Тип транзистора
    3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 6mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    2000 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    4W
  • Трансформация частоты
    75MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    12-SIP
  • Исполнение корпуса
    12-SIP

Техническая документация

 SMA6010.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PBSS4160PANSXТранзистор
    176Кешбэк 26 баллов
    BC847BPN,165Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    ULN2003F12FN-7Микросхема: IC PWR RELAY N-CHAN U-DFN3030-10
    104Кешбэк 15 баллов
    BC847CDXV6T1HТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563-6
    11.1Кешбэк 1 балл
    BC846UE6327HTSA1Транзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC74-6
    26Кешбэк 3 балла
    ULQ2003D1013TRYТранзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    150Кешбэк 22 балла
    BC847BS,115Диод: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    BC847BPN,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    ULN2004AINМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    196Кешбэк 29 баллов
    SMBT3946DW1T1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    24Кешбэк 3 балла
    BC856UE6327HTSA1Транзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC74-6
    28Кешбэк 4 балла
    2SC4207-Y(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    BC817UPNE6327HTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.5A SC74
    63Кешбэк 9 баллов
    SBC847BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    18.5Кешбэк 2 балла
    BCM847BS,135Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    SMBT3906DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    FMB2227AТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT
    119Кешбэк 17 баллов
    DMMT3906-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
    100Кешбэк 15 баллов
    MMDT3904-7-FТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    SCH2201-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    35Кешбэк 5 баллов
    MBT3906DW1T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PMBT3904VS,115Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666
    74Кешбэк 11 баллов
    EMT1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
    87Кешбэк 13 баллов
    MC1413DR2GТранзистор: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    100Кешбэк 15 баллов
    ULN2003APWRМикросхема: TRAN 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP
    102Кешбэк 15 баллов
    FFB5551Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
    146Кешбэк 21 балл
    ULQ2003ATDG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    339Кешбэк 50 баллов
    FMB3904Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SUPERSOT-6
    115Кешбэк 17 баллов
    BC857QASZТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
    59Кешбэк 8 баллов
    BC847PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП