Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
SMMBFJ175LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G
;
SMMBFJ175LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ175LT1G
  • Описание:
    Тиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ175LT1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ175LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G onsemi Тиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор JFET (P-канальный)
    • Рейтингное напряжение: 30В
    • Объем: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер корпуса (SOT23)
    • Низкий ток стока при отсутствии сигнала
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включения
    • Не подходит для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление мощными нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электроника бытовой техники
    • Инверторы
    • Устройства управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ175LT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    7 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    125 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ175

Техническая документация

 SMMBFJ175LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8189 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    25.4 ₽
  • 1000
    23 ₽
  • 6000
    20 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ175LT1G
  • Описание:
    Тиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ175LT1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ175LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G onsemi Тиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор JFET (P-канальный)
    • Рейтингное напряжение: 30В
    • Объем: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер корпуса (SOT23)
    • Низкий ток стока при отсутствии сигнала
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включения
    • Не подходит для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление мощными нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электроника бытовой техники
    • Инверторы
    • Устройства управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ175LT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    7 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    125 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ175

Техническая документация

 SMMBFJ175LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    209Кешбэк 31 балл
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    76Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    193Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    265Кешбэк 39 баллов
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    IJW120R100T1FKSA1JFET N-CHAN 26A TO247-3
    3 529Кешбэк 529 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 224Кешбэк 633 балла
    2SK596S-CТиристор: JFET N-CH 0.1W
    13Кешбэк 1 балл
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    2SK596S-AТиристор: JFET N-CH 0.1W
    14.8Кешбэк 2 балла
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    15.7Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    31.5Кешбэк 4 балла
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП