Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
SMMBFJ177LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G
;
SMMBFJ177LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ177LT1G
  • Описание:
    Тиристор: TRANS JFET P-CH SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ177LT1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ177LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G onsemi Тиристор: TRANS JFET P-CH SOT23

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение ведущей цепи (VDRM): 177 В
    • Максимальный ток ведущей цепи (ITO): 10 А
    • Размеры пакета: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами тиристоров
    • Неустойчивость к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Переключение больших токов
    • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства управления
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ177LT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    800 mV @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    300 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ177

Техническая документация

 SMMBFJ177LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4751 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 25
    32 ₽
  • 250
    25 ₽
  • 1000
    23 ₽
  • 6000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ177LT1G
  • Описание:
    Тиристор: TRANS JFET P-CH SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ177LT1G при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ177LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G onsemi Тиристор: TRANS JFET P-CH SOT23

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение ведущей цепи (VDRM): 177 В
    • Максимальный ток ведущей цепи (ITO): 10 А
    • Размеры пакета: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами тиристоров
    • Неустойчивость к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Переключение больших токов
    • Защита электронных устройств от скачков напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства управления
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ177LT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    800 mV @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11pF @ 10V (VGS)
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    300 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ177

Техническая документация

 SMMBFJ177LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ202SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ113JFET N-CH 35V 350MW SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ201Тиристор: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    94Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    86Кешбэк 12 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    115Кешбэк 17 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    MMBF4391LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    82Кешбэк 12 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    209Кешбэк 31 балл
    2SK2145-BL(TE85L,FJFET N-CH 50V SMV
    172Кешбэк 25 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    135Кешбэк 20 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    182Кешбэк 27 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    76Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22.2Кешбэк 3 балла
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    193Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    265Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП