Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
SMMBTH10-4LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G
;
SMMBTH10-4LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBTH10-4LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SMMBTH10-4LT3G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBTH10-4LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочее напряжение (VCEO): 25В
    • Максимальная частота (fT): 800МГц
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление резистора включения
    • Малый размер пакета, что удобно для компактного дизайна устройств
  • Минусы:
    • Меньшая термальная стабильность по сравнению с большими транзисторами
    • Требует внимания при проектировании радиоэлектронных устройств из-за высокой рабочей частоты
  • Общее назначение:
    • Используется в радиотехнических устройствах
    • Для усиления сигналов в радиопередающих устройствах
    • В составе микросхем для цифровых и аналоговых радиоэлектронных систем
  • Применяется в:
    • Мобильных телефонах
    • Радиоприемниках и передатчиках
    • Беспроводных системах связи
    • Автомобильных радарах
    • Профессиональной радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBTH10-4LT3G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25V
  • Трансформация частоты
    800MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 4mA, 10V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBTH10

Техническая документация

 SMMBTH10-4LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9117 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    91 ₽
  • 100
    35.4 ₽
  • 1000
    23.7 ₽
  • 5000
    18.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBTH10-4LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SMMBTH10-4LT3G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBTH10-4LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочее напряжение (VCEO): 25В
    • Максимальная частота (fT): 800МГц
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление резистора включения
    • Малый размер пакета, что удобно для компактного дизайна устройств
  • Минусы:
    • Меньшая термальная стабильность по сравнению с большими транзисторами
    • Требует внимания при проектировании радиоэлектронных устройств из-за высокой рабочей частоты
  • Общее назначение:
    • Используется в радиотехнических устройствах
    • Для усиления сигналов в радиопередающих устройствах
    • В составе микросхем для цифровых и аналоговых радиоэлектронных систем
  • Применяется в:
    • Мобильных телефонах
    • Радиоприемниках и передатчиках
    • Беспроводных системах связи
    • Автомобильных радарах
    • Профессиональной радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBTH10-4LT3G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25V
  • Трансформация частоты
    800MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 4mA, 10V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBTH10

Техническая документация

 SMMBTH10-4LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBTH10LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    2SC6023-TR-EТранзистор: NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
    19Кешбэк 2 балла
    MMBTH10-4LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    19Кешбэк 2 балла
    MMBTH10M3T5GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
    21Кешбэк 3 балла
    MMBTH81Транзистор: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
    23Кешбэк 3 балла
    2SC6024-TL-EТранзистор: BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    23Кешбэк 3 балла
    KSP10BUТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    23Кешбэк 3 балла
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    23Кешбэк 3 балла
    CPH6021-TL-HRF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH
    26.6Кешбэк 3 балла
    MPS3563RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    40Кешбэк 6 баллов
    2SC5231A-9-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
    47.5Кешбэк 7 баллов
    2SC5231A-8-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
    47.5Кешбэк 7 баллов
    NSVMMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    49Кешбэк 7 баллов
    2SC5415AF-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
    68Кешбэк 10 баллов
    2SC5277A-2-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP
    78Кешбэк 11 баллов
    55GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
    78Кешбэк 11 баллов
    15GN03CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
    89Кешбэк 13 баллов
    SMMBTH10-4LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    15GN03MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
    106Кешбэк 15 баллов
    55GN01FA-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
    118Кешбэк 17 баллов
    2SC5488A-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SSFP
    124Кешбэк 18 баллов
    MCH4020-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
    125Кешбэк 18 баллов
    CPH6001A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH
    129Кешбэк 19 баллов
    2SC5226A-4-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP
    137Кешбэк 20 баллов
    EC4H08C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
    139Кешбэк 20 баллов
    CPH6003A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    154Кешбэк 23 балла
    MCH4009-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
    158Кешбэк 23 балла
    2SC5347AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
    190Кешбэк 28 баллов
    EC4H09C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
    192Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП