Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SMUN5113DW1T1G

SMUN5113DW1T1G

SMUN5113DW1T1G
;
SMUN5113DW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SMUN5113DW1T1G при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5113DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5113DW1T1G

Транзистор SMUN5113DW1T1G ONSEMI TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый NPN транзистор
    • Мощность: 0.187 Вт
    • Оболочка: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое энергопотребление
    • Компактный размер оболочки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию предварительной подстройки (prebias)
    • Могут потребоваться дополнительные компоненты для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Импульсная электроника
    • Регуляторы напряжения
    • Аmplификаторы сигнала
    • Программируемые логические элементы (ПЛЭ)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Домашние приборы и бытовую технику
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5113DW1T1G

Техническая документация

SMUN5113DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2995 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    45 ₽
  • 10
    23.6 ₽
  • 100
    12.2 ₽
  • 9000
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SMUN5113DW1T1G при покупке от 1 шт 45.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5113DW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5113DW1T1G

Транзистор SMUN5113DW1T1G ONSEMI TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2-полупроводниковый NPN транзистор
    • Мощность: 0.187 Вт
    • Оболочка: SOT363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое энергопотребление
    • Компактный размер оболочки
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию предварительной подстройки (prebias)
    • Могут потребоваться дополнительные компоненты для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Импульсная электроника
    • Регуляторы напряжения
    • Аmplификаторы сигнала
    • Программируемые логические элементы (ПЛЭ)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Домашние приборы и бытовую технику
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5113DW1T1G

Техническая документация

SMUN5113DW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории