Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
SMUN5235T1G
  • В избранное
  • В сравнение
SMUN5235T1G

SMUN5235T1G

SMUN5235T1G
;
SMUN5235T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    SMUN5235T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5235T1G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5235T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5235T1G

SMUN5235T1G ONSEMI Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Количество мощности: 202 мВт
    • Объем: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Требует предварительного наклона для правильной работы
    • Не самое компактное решение из-за объема SC70-3
  • Общее назначение:
    • Используется для управляющего сигнала в различных электронных устройствах
    • Подходит для применения в схемах с предварительным наклоном
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильная электроника
    • Маломощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5235T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5235

Техническая документация

 SMUN5235T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2883 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 ₽
  • 50
    14 ₽
  • 500
    9.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    SMUN5235T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SMUN5235T1G при покупке от 1 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMUN5235T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMUN5235T1G

SMUN5235T1G ONSEMI Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Количество мощности: 202 мВт
    • Объем: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Требует предварительного наклона для правильной работы
    • Не самое компактное решение из-за объема SC70-3
  • Общее назначение:
    • Используется для управляющего сигнала в различных электронных устройствах
    • Подходит для применения в схемах с предварительным наклоном
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильная электроника
    • Маломощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SMUN5235T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    202 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    SMUN5235

Техническая документация

 SMUN5235T1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    14.2Кешбэк 2 балла
    DTA144EET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    14.2Кешбэк 2 балла
    MUN5116T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    14.2Кешбэк 2 балла
    MUN5215T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    14.2Кешбэк 2 балла
    MUN5232T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    14.2Кешбэк 2 балла
    DTC114YET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    14.2Кешбэк 2 балла
    MUN5115T1Транзистор
    14.2Кешбэк 2 балла
    DTA144TT1Транзистор
    14.2Кешбэк 2 балла
    MUN5135T1Транзистор
    14.2Кешбэк 2 балла
    DTA144WET1Транзистор
    14.2Кешбэк 2 балла
    SMUN5233T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    DTC144TET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    20.4Кешбэк 3 балла
    MUN5133T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    SMUN5235T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    26Кешбэк 3 балла
    SMMUN2113LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    26.4Кешбэк 3 балла
    NSBC123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    26.5Кешбэк 3 балла
    NSBC144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    26.5Кешбэк 3 балла
    NSBC124XF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    26.5Кешбэк 3 балла
    MMUN2211LT3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    26.5Кешбэк 3 балла
    MMUN2111LT3GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    26.5Кешбэк 3 балла
    MUN5131T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    28.5Кешбэк 4 балла
    MUN2113T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
    28.5Кешбэк 4 балла
    MUN2232T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    28.5Кешбэк 4 балла
    MUN2211T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    28.5Кешбэк 4 балла
    SMUN2111T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
    28.5Кешбэк 4 балла
    MMUN2233LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    28.5Кешбэк 4 балла
    SMMUN2213LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    30Кешбэк 4 балла
    MUN5136T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70
    30.5Кешбэк 4 балла
    MMUN2137LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
    30.5Кешбэк 4 балла
    MMUN2241LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    30.5Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП