Вход/Регистрация
SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SQD10950E_GE3
- Описание:MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AAВсе характеристики
Минимальная цена SQD10950E_GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD10950E_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 7314 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1337 ₽
- 10238 ₽
- 100164 ₽
- 1000120 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SQD10950E_GE3
- Описание:MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AAВсе характеристики
Минимальная цена SQD10950E_GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD10950E_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч 250В 11,5А TO252AA
- Основные параметры:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Рабочее напряжение (VDS(ON)): 250В
- Рейтингный ток (ID(on)): 11,5А
- Пакет: TO252AA
- Плюсы:
- Высокая проводимость в режиме ON
- Низкий коэффициент дугового срабатывания
- Устойчивость к перегрузкам
- Малый размер и легкость
- Минусы:
- Могут возникать проблемы с термостабильностью при высоких температурах
- Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
- Общее назначение:
- Использование в источниках питания
- Драйверах для индуктивных нагрузок
- Системах управления двигателем
- Беспроводных устройствах
- Применение в устройствах:
- Автомобильных системах
- Мобильных зарядных устройствах
- Приборах для домашнего использования
- Электронных устройствах с высокой плотностью мощности
Выбрано: Показать
Характеристики SQD10950E_GE3
Техническая документация
SQD10950E_GE3.pdf pdf. 0 kb