Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3
;
SQD10950E_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SQD10950E_GE3 при покупке от 1 шт 289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD10950E_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч 250В 11,5А TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 250В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 11,5А
    • Пакет: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент дугового срабатывания
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Могут возникать проблемы с термостабильностью при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверах для индуктивных нагрузок
    • Системах управления двигателем
    • Беспроводных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных зарядных устройствах
    • Приборах для домашнего использования
    • Электронных устройствах с высокой плотностью мощности
Выбрано: Показать

Характеристики SQD10950E_GE3

Техническая документация

SQD10950E_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3061 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    289 ₽
  • 10
    221 ₽
  • 100
    159 ₽
  • 1000
    119 ₽
  • 4000
    99 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SQD10950E_GE3 при покупке от 1 шт 289.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD10950E_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD10950E_GE3

SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч 250В 11,5А TO252AA

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 250В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 11,5А
    • Пакет: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент дугового срабатывания
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Могут возникать проблемы с термостабильностью при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверах для индуктивных нагрузок
    • Системах управления двигателем
    • Беспроводных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных зарядных устройствах
    • Приборах для домашнего использования
    • Электронных устройствах с высокой плотностью мощности
Выбрано: Показать

Характеристики SQD10950E_GE3

Техническая документация

SQD10950E_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории