Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SQD40031EL_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3
;
SQD40031EL_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQD40031EL_GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 100A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена SQD40031EL_GE3 при покупке от 1 шт 391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD40031EL_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Размерный обвод (Package): TO252AA
    • Максимальная токовая способность (ID(on)): 100 A
    • Максимальное напряжение (VDS(max)): 30 V
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость для установки
  • Минусы:
    • Требует эффективного охлаждения из-за высокой мощности
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Импульсная электроника
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения для электроники
    • Промышленное оборудование
    • Импульсные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQD40031EL_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    280 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    15000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SQD40031

Техническая документация

 SQD40031EL_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 887 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    391 ₽
  • 5
    308 ₽
  • 10
    270 ₽
  • 50
    198 ₽
  • 100
    190 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQD40031EL_GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 100A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена SQD40031EL_GE3 при покупке от 1 шт 391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD40031EL_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Размерный обвод (Package): TO252AA
    • Максимальная токовая способность (ID(on)): 100 A
    • Максимальное напряжение (VDS(max)): 30 V
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость для установки
  • Минусы:
    • Требует эффективного охлаждения из-за высокой мощности
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Импульсная электроника
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения для электроники
    • Промышленное оборудование
    • Импульсные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQD40031EL_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    280 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    15000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SQD40031

Техническая документация

 SQD40031EL_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIR186DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SI2337DS-T1-BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    IRFR9220TRPBF-BE3MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SQJ415EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SQJA04EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIRA50ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SI3499DV-T1-BE3P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SI2325DS-T1-BE3P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SISS10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
    293Кешбэк 43 балла
    SIRA74DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
    293Кешбэк 43 балла
    SQ4080EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
    294Кешбэк 44 балла
    SQJA46EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    298Кешбэк 44 балла
    SISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
    298Кешбэк 44 балла
    SIS106DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
    300Кешбэк 45 баллов
    SQD40052EL_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF630PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    SIR876BDP-T1-RE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
    300Кешбэк 45 баллов
    IRFR210PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SQJA96EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120TRPBF-BE3MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SIHF9520S-GE3MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SISS32LDN-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJA76EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SIHF530-GE3MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJ479EP-T1_BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    306Кешбэк 45 баллов
    SISS98DN-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
    306Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП