Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SQD50N05-11L_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3
;
SQD50N05-11L_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQD50N05-11L_GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 50A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена SQD50N05-11L_GE3 при покупке от 1 шт 471.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50N05-11L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч — это полевое транзисторное устройство с низким напряжением ввода (N-CH), работающее под напряжением до 50В и способное передавать ток до 50А. Устройство размещено в корпусе TO252AA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода: 50В
    • Размерный ток: 50А
    • Корпус: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Низкий вольт-амперный коэффициент
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
    • Необходимо учесть влияние температуры на характеристики

Общее назначение: Это устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и управляемость тока. Оно широко применяется в:

  • Силовых электронных устройствах
  • Переключаемых источниках питания
  • Инверторах
  • Мотор-контроллерах
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SQD50N05-11L_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 45A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2106 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    75W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SQD50

Техническая документация

 SQD50N05-11L_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    471 ₽
  • 10
    303 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQD50N05-11L_GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 50A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена SQD50N05-11L_GE3 при покупке от 1 шт 471.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQD50N05-11L_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч — это полевое транзисторное устройство с низким напряжением ввода (N-CH), работающее под напряжением до 50В и способное передавать ток до 50А. Устройство размещено в корпусе TO252AA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода: 50В
    • Размерный ток: 50А
    • Корпус: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Низкий вольт-амперный коэффициент
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
    • Необходимо учесть влияние температуры на характеристики

Общее назначение: Это устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и управляемость тока. Оно широко применяется в:

  • Силовых электронных устройствах
  • Переключаемых источниках питания
  • Инверторах
  • Мотор-контроллерах
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SQD50N05-11L_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 45A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2106 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    75W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SQD50

Техническая документация

 SQD50N05-11L_GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ431AEP-T1_BE3P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    457Кешбэк 68 баллов
    IRFZ34PBF-BE3MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
    461Кешбэк 69 баллов
    SQD23N06-31L_GE3MOSFET N-CH 60V 23A TO252
    461Кешбэк 69 баллов
    SQJ848EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
    461Кешбэк 69 баллов
    SIR182DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    463Кешбэк 69 баллов
    IRF9610PBF-BE3MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    465Кешбэк 69 баллов
    IRFR320TRPBF-BE3Транзистор: N-CHANNEL 400V
    467Кешбэк 70 баллов
    SQJ422EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
    469Кешбэк 70 баллов
    SIR570DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
    471Кешбэк 70 баллов
    SQD50N05-11L_GE3MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
    471Кешбэк 70 баллов
    IRF9Z24PBF-BE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
    475Кешбэк 71 балл
    SQJ126EP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
    477Кешбэк 71 балл
    SQD40061EL_GE3MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
    478Кешбэк 71 балл
    SQD40020EL_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
    478Кешбэк 71 балл
    SQ4483BEEY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
    480Кешбэк 72 балла
    SUD50N04-8M8P-4BE3MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
    482Кешбэк 72 балла
    SQD45P03-12_GE3MOSFET P-CH 30V 50A TO252
    484Кешбэк 72 балла
    IRFR9120PBF-BE3P-CHANNEL 100V
    484Кешбэк 72 балла
    SIHP4N80E-BE3N-CHANNEL 600V
    484Кешбэк 72 балла
    SIHFBC40AS-GE3MOSFET N-CHANNEL 600V
    484Кешбэк 72 балла
    SIR106DP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
    486Кешбэк 72 балла
    SIR871DP-T1-GE3MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
    488Кешбэк 73 балла
    SIHP7N60E-BE3N-CHANNEL 600V
    488Кешбэк 73 балла
    IRFBC40PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    488Кешбэк 73 балла
    SQM40081EL_GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO263
    488Кешбэк 73 балла
    SIR516DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
    494Кешбэк 74 балла
    SIHF640S-GE3MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    496Кешбэк 74 балла
    IRF840APBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    496Кешбэк 74 балла
    SIHP15N50E-BE3N-CHANNEL 500V
    498Кешбэк 74 балла
    SIHFBE30S-GE3MOSFET N-CHANNEL 800V
    498Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП