Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3
;
SQJ200EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SQJ200EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 290.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ200EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 20В
  • Номинальный ток коллектора (ID(on)): 20А при VDS = 20В; 60А при VDS = 4.5В
  • Технология пакета (PPAK SO): Пакетная технология с размерами 3.98 x 4.93 мм

Плюсы:

  • Высокая мощность: Возможность работы с высокими токами и напряжениями.
  • Малый размер: Кompактный пакет обеспечивает эффективное использование пространства.
  • Низкое сопротивление: Низкий RDS(on) позволяет минимизировать потери энергии.
  • Высокая надежность: Высокая стабильность и долговечность.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: При работе с высокими токами и напряжениями требуется эффективное охлаждение.
  • Сложность в выборе: Необходимо тщательно выбирать параметры для определенной задачи.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуются высокие токи и напряжения, такие как:

  • Автомобильные системы управления
  • Промышленное оборудование
  • Энергоэффективные решения
  • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ200EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJ200EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2478 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    290 ₽
  • 10
    184 ₽
  • 100
    123 ₽
  • 500
    101 ₽
  • 1000
    88 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SQJ200EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 290.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ200EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 20В
  • Номинальный ток коллектора (ID(on)): 20А при VDS = 20В; 60А при VDS = 4.5В
  • Технология пакета (PPAK SO): Пакетная технология с размерами 3.98 x 4.93 мм

Плюсы:

  • Высокая мощность: Возможность работы с высокими токами и напряжениями.
  • Малый размер: Кompактный пакет обеспечивает эффективное использование пространства.
  • Низкое сопротивление: Низкий RDS(on) позволяет минимизировать потери энергии.
  • Высокая надежность: Высокая стабильность и долговечность.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению: При работе с высокими токами и напряжениями требуется эффективное охлаждение.
  • Сложность в выборе: Необходимо тщательно выбирать параметры для определенной задачи.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуются высокие токи и напряжения, такие как:

  • Автомобильные системы управления
  • Промышленное оборудование
  • Энергоэффективные решения
  • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ200EP-T1_GE3

Техническая документация

SQJ200EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории