Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SQJ202EP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3
;
SQJ202EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ202EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SOВсе характеристики

Минимальная цена SQJ202EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ202EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ202EP-T1_GE3

Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO (SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix)

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VDS(ON)): 12В
    • Максимальный ток при VGS = 10В (ID): 20А
    • Максимальный ток при VGS = 10В (ID) при TC = 25°C (IDM): 60А
    • Пакет: PPAK SO
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент сопротивления
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый тепловыделение
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для управления
    • Могут возникать проблемы с шумами при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Использование в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной технике
    • Источниках питания
    • Электронасосах
    • Драйверах для двигателей
    • Устройствах управления промышленными моторами
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ202EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A, 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    975pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    27W, 48W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Base Product Number
    SQJ202

Техническая документация

 SQJ202EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2800 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    385 ₽
  • 10
    246 ₽
  • 100
    166 ₽
  • 1000
    124 ₽
  • 6000
    101 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ202EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SOВсе характеристики

Минимальная цена SQJ202EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 385.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ202EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ202EP-T1_GE3

Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO (SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix)

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VDS(ON)): 12В
    • Максимальный ток при VGS = 10В (ID): 20А
    • Максимальный ток при VGS = 10В (ID) при TC = 25°C (IDM): 60А
    • Пакет: PPAK SO
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий коэффициент сопротивления
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый тепловыделение
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для управления
    • Могут возникать проблемы с шумами при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Использование в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной технике
    • Источниках питания
    • Электронасосах
    • Драйверах для двигателей
    • Устройствах управления промышленными моторами
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ202EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A, 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    975pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    27W, 48W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Base Product Number
    SQJ202

Техническая документация

 SQJ202EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    337Кешбэк 50 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    341Кешбэк 51 балл
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SI9926CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SI4936BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    385Кешбэк 57 баллов
    SI7272DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    391Кешбэк 58 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    391Кешбэк 58 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    412Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    424Кешбэк 63 балла
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    431Кешбэк 64 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    443Кешбэк 66 баллов
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4816BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4946BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI7913DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4946BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI4925BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI4925BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI7922DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI7220DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI7922DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI4943BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    541Кешбэк 81 балл
    SQJ960EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 8A
    558Кешбэк 83 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    564Кешбэк 84 балла
    SI4904DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    570Кешбэк 85 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП