SQJ431AEP-T1_BE3

• Тип: P-канальный MOSFET
• Номинальное напряжение дrain-source (Vds): 200 В
• Рабочая температура (Tj): 175°C
• Тип соединения: D-S

Плюсы:

• Высокое напряжение сечения (200 В)
• Высокий тепловой транспорт (175°C)
• Совместимость с другими компонентами
• Стабильная работа при высоких температурах

Минусы:

• Требует дополнительного проектирования для работы с низкими напряжениями
• Большой размер по сравнению с N-канальными MOSFET

Общее назначение:

• Изоляционные транзисторы
• Драйверы
• Контроллеры
• Применяются в различных электронных устройствах, где требуется управление током в обратном направлении или изоляция между цепями различного напряжения

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы
• Инверторы
• Системы управления приводами
• Распределенные системы питания
• Промышленные контроллеры и системы автоматизации