Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SQJ443EP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3
;
SQJ443EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ443EP-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SQJ443EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 370.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ443EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
  • Напряжение блокировки (VGS(th)): 40В
  • Максимальный ток (ID(on)): 40А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:

    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции PPAK
  • Малый размер и легкость в интеграции в разные электронные устройства
  • Минусы:

    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:

    • Регулирование напряжения
  • Приведение к нулю тока при отключении
  • Ограничение тока в цепях питания
  • В каких устройствах применяется:

    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобили (адаптеры зарядки, системы управления)
  • Компьютеры и серверы (регуляторы напряжения)
  • Системы управления промышленного оборудования
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SQJ443EP-T1_GE3

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Тип полевого транзистора
      P-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      40A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      4.5V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      29mOhm @ 18A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      57 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2030 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      83W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TA)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PowerPAK® SO-8
    • Корпус
      PowerPAK® SO-8
    • Base Product Number
      SQJ443

    Техническая документация

     SQJ443EP-T1_GE3.pdf
    pdf. 0 kb
    • 1678 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      370 ₽
    • 10
      236 ₽
    • 100
      160 ₽
    • 1000
      118 ₽
    • 6000
      97 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Vishay Siliconix
    • Артикул:
      SQJ443EP-T1_GE3
    • Описание:
      MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8Все характеристики

    Минимальная цена SQJ443EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 370.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ443EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание SQJ443EP-T1_GE3

    SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

    • Основные параметры:
      • Тип: P-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 40В
  • Максимальный ток (ID(on)): 40А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:

    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции PPAK
  • Малый размер и легкость в интеграции в разные электронные устройства
  • Минусы:

    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:

    • Регулирование напряжения
  • Приведение к нулю тока при отключении
  • Ограничение тока в цепях питания
  • В каких устройствах применяется:

    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобили (адаптеры зарядки, системы управления)
  • Компьютеры и серверы (регуляторы напряжения)
  • Системы управления промышленного оборудования
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SQJ443EP-T1_GE3

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Тип полевого транзистора
      P-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      40A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      4.5V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      29mOhm @ 18A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      57 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2030 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      83W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TA)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PowerPAK® SO-8
    • Корпус
      PowerPAK® SO-8
    • Base Product Number
      SQJ443

    Техническая документация

     SQJ443EP-T1_GE3.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
      351Кешбэк 52 балла
      IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
      351Кешбэк 52 балла
      IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
      355Кешбэк 53 балла
      IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
      355Кешбэк 53 балла
      SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
      355Кешбэк 53 балла
      SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
      355Кешбэк 53 балла
      SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
      355Кешбэк 53 балла
      SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
      355Кешбэк 53 балла
      SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
      355Кешбэк 53 балла
      SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
      355Кешбэк 53 балла
      SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
      355Кешбэк 53 балла
      SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
      355Кешбэк 53 балла
      SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
      357Кешбэк 53 балла
      SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
      357Кешбэк 53 балла
      IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
      361Кешбэк 54 балла
      SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
      361Кешбэк 54 балла
      SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
      365Кешбэк 54 балла
      SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
      365Кешбэк 54 балла
      SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
      367Кешбэк 55 баллов
      IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
      367Кешбэк 55 баллов
      SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
      369Кешбэк 55 баллов
      IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
      369Кешбэк 55 баллов
      IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
      369Кешбэк 55 баллов
      SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
      370Кешбэк 55 баллов
      SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
      370Кешбэк 55 баллов
      SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
      370Кешбэк 55 баллов
      SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
      370Кешбэк 55 баллов
      SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
      371Кешбэк 55 баллов
      SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
      372Кешбэк 55 баллов
      SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
      374Кешбэк 56 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      IGBT транзисторы
      Принадлежности для дискретных полупроводников
      Тиристоры - SCR
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Транзисторы - IGBT - модули
      Модули драйверов питания
      Одиночные триодные тиристоры
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Модули триодных тиристоров
      Высокочастотные диоды
      Диоды - ВЧ
      Диодные мосты
      Одиночные IGBT транзисторы
      Варикапы и Варакторы
      Модули драйверов питания
      IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
      Диоды выпрямительные - Модули
      Полевые транзисторы - Модули
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Тиристоры - SCR - модули
      Диоды силовые
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диодные мосты - Модули
      Транзисторы специального назначения
      Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Диоды - выпрямители - массивы
      Диоды - мостовые выпрямители
      Транзисторы - JFET
      Транзисторные модули
      Симисторы - Модули
      Тиристоры - TRIACs
      Сборки биполярных транзисторов
      Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Одиночные биполярные транзисторы
      Симисторы
      Биполярные транзисторы
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды и транзисторы для регулирования тока
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Полевые транзисторы - Сборки
      Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Логотип ЭикомЭиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Наш Telegram
    Наш Яндекс.Дзен
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП