Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SQJ443EP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3
;
SQJ443EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ443EP-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SQJ443EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ443EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
  • Напряжение блокировки (VGS(th)): 40В
  • Максимальный ток (ID(on)): 40А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:

    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции PPAK
  • Малый размер и легкость в интеграции в разные электронные устройства
  • Минусы:

    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:

    • Регулирование напряжения
  • Приведение к нулю тока при отключении
  • Ограничение тока в цепях питания
  • В каких устройствах применяется:

    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобили (адаптеры зарядки, системы управления)
  • Компьютеры и серверы (регуляторы напряжения)
  • Системы управления промышленного оборудования
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SQJ443EP-T1_GE3

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Тип полевого транзистора
      P-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      40A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      4.5V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      29mOhm @ 18A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      57 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2030 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      83W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TA)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PowerPAK® SO-8
    • Корпус
      PowerPAK® SO-8
    • Base Product Number
      SQJ443

    Техническая документация

     SQJ443EP-T1_GE3.pdf
    pdf. 0 kb
    • 1678 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      361 ₽
    • 10
      231 ₽
    • 100
      156 ₽
    • 1000
      115 ₽
    • 6000
      94 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Vishay Siliconix
    • Артикул:
      SQJ443EP-T1_GE3
    • Описание:
      MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8Все характеристики

    Минимальная цена SQJ443EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ443EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание SQJ443EP-T1_GE3

    SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

    • Основные параметры:
      • Тип: P-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 40В
  • Максимальный ток (ID(on)): 40А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:

    • Высокая проводимость при низком напряжении включения
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции PPAK
  • Малый размер и легкость в интеграции в разные электронные устройства
  • Минусы:

    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
  • Общее назначение:

    • Регулирование напряжения
  • Приведение к нулю тока при отключении
  • Ограничение тока в цепях питания
  • В каких устройствах применяется:

    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
  • Автомобили (адаптеры зарядки, системы управления)
  • Компьютеры и серверы (регуляторы напряжения)
  • Системы управления промышленного оборудования
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SQJ443EP-T1_GE3

    • Package
      Tape & Reel (TR)
    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Тип полевого транзистора
      P-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      40 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      40A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      4.5V, 10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      29mOhm @ 18A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      57 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2030 pF @ 20 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      83W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 175°C (TA)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Исполнение корпуса
      PowerPAK® SO-8
    • Корпус
      PowerPAK® SO-8
    • Base Product Number
      SQJ443

    Техническая документация

     SQJ443EP-T1_GE3.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
      593Кешбэк 88 баллов
      EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
      463Кешбэк 69 баллов
      SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
      48Кешбэк 7 баллов
      FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
      143Кешбэк 21 балл
      RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
      182Кешбэк 27 баллов
      CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
      39Кешбэк 5 баллов
      FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
      85Кешбэк 12 баллов
      2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
      41Кешбэк 6 баллов
      ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
      44.5Кешбэк 6 баллов
      HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
      89Кешбэк 13 баллов
      3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
      117Кешбэк 17 баллов
      2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
      70Кешбэк 10 баллов
      2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
      52Кешбэк 7 баллов
      FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
      673Кешбэк 100 баллов
      SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
      122Кешбэк 18 баллов
      MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
      350Кешбэк 52 балла
      SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
      332Кешбэк 49 баллов
      IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
      48Кешбэк 7 баллов
      SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
      282Кешбэк 42 балла
      IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
      211Кешбэк 31 балл
      ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
      89Кешбэк 13 баллов
      DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
      63Кешбэк 9 баллов
      HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
      119Кешбэк 17 баллов
      MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
      159Кешбэк 23 балла
      SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
      119Кешбэк 17 баллов
      RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
      489Кешбэк 73 балла
      STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
      285Кешбэк 42 балла
      TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
      85Кешбэк 12 баллов
      IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
      122Кешбэк 18 баллов
      SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
      85Кешбэк 12 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Полевые транзисторы - Модули
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диодные мосты - Модули
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Диоды силовые
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Высокочастотные диоды
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Тиристоры - TRIACs
      Драйверы питания - Модули
      Биполярные транзисторы
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Тиристоры - SCR
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Триодные тиристоры - Модули
      Диоды - мостовые выпрямители
      Полевые транзисторы - Сборки
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Диоды - ВЧ
      Транзисторы - Модули
      Диодные мосты
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Диоды выпрямительные - Модули
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Принадлежности
      Симисторы - Модули
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Диоды - выпрямители - массивы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Тиристоры - SCR - модули
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Транзисторы - IGBT - модули
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Симисторы
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      IGBT транзисторы
      Транзисторы - Специального назначения
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Модули драйверов питания
      Варикапы и Варакторы
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП