Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQJ570EP-T1_BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ570EP-T1_BE3

SQJ570EP-T1_BE3

SQJ570EP-T1_BE3
;
SQJ570EP-T1_BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ570EP-T1_BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175Все характеристики

Минимальная цена SQJ570EP-T1_BE3 при покупке от 1 шт 302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ570EP-T1_BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ570EP-T1_BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор
      • P-канальный транзистор
      • Номинальное напряжение между дреном и сгущением (VDS) составляет 100 В
      • Максимальная мощность, разрешенная для отвода (Ptot) составляет 175 Вт
    • Плюсы:
      • Высокая надежность благодаря использованию технологии производства Vishay Siliconix
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Малый размер и легкий вес
      • Простота интеграции в различные электронные устройства
    • Минусы:
      • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
      • Могут быть ограничения по частоте работы в зависимости от применения
    • Общее назначение:
      • Использование в системах управления силами (power electronics)
      • Регулирование напряжений в различных устройствах
      • Создание стабилизаторов напряжения
      • Встроенные решения в трансформаторные блоки питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Промышленные контроллеры и преобразователи
      • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ570EP-T1_BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V, 20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 25V, 650pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual

Техническая документация

 SQJ570EP-T1_BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2190 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    302 ₽
  • 10
    191 ₽
  • 100
    128 ₽
  • 1000
    92 ₽
  • 6000
    75 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ570EP-T1_BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175Все характеристики

Минимальная цена SQJ570EP-T1_BE3 при покупке от 1 шт 302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ570EP-T1_BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ570EP-T1_BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор
      • P-канальный транзистор
      • Номинальное напряжение между дреном и сгущением (VDS) составляет 100 В
      • Максимальная мощность, разрешенная для отвода (Ptot) составляет 175 Вт
    • Плюсы:
      • Высокая надежность благодаря использованию технологии производства Vishay Siliconix
      • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
      • Малый размер и легкий вес
      • Простота интеграции в различные электронные устройства
    • Минусы:
      • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
      • Могут быть ограничения по частоте работы в зависимости от применения
    • Общее назначение:
      • Использование в системах управления силами (power electronics)
      • Регулирование напряжений в различных устройствах
      • Создание стабилизаторов напряжения
      • Встроенные решения в трансформаторные блоки питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Промышленные контроллеры и преобразователи
      • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ570EP-T1_BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V, 20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 25V, 650pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual

Техническая документация

 SQJ570EP-T1_BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF75842S3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    RFD20N03SM9AR4770Транзистор: 20A, 30V, 0.025 OHM, N-CHANNEL
    230Кешбэк 34 балла
    SI6953DQТранзистор: P-CHANNEL MOSFET
    74Кешбэк 11 баллов
    SI4920DYТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    102Кешбэк 15 баллов
    FQPF6N50C3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
    193Кешбэк 28 баллов
    FCH041N65FN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    FDB3652SB82059Транзистор: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
    547Кешбэк 82 балла
    FCH041N65EFN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    CMLDM3757 TR PBFREEТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    150Кешбэк 22 балла
    CMKDM8005 TR PBFREEТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363
    148Кешбэк 22 балла
    CWDM305ND TR13 PBFREEТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    EPC2106Транзистор: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
    493Кешбэк 73 балла
    EPC2107Транзистор: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
    526Кешбэк 78 баллов
    EPC2103Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 993Кешбэк 298 баллов
    EPC2104Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2102Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2105Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2108Транзистор: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
    387Кешбэк 58 баллов
    EPC2101Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 993Кешбэк 298 баллов
    SQ1922AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
    128Кешбэк 19 баллов
    SI1553CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    70Кешбэк 10 баллов
    SQ3989EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    137Кешбэк 20 баллов
    SQJ560EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
    376Кешбэк 56 баллов
    SQJQ910EL-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
    628Кешбэк 94 балла
    SQ4949EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SI1539CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    SQJ504EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
    398Кешбэк 59 баллов
    SI1902CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    311Кешбэк 46 баллов
    SQ1912AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
    137Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП