Вход/Регистрация
SIZ346DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SQJ912BEP-T1_GE3
- Описание:Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8LВсе характеристики
Минимальная цена SQJ912BEP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ912BEP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 1579 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1298 ₽
- 10201 ₽
- 100147 ₽
- 1000116 ₽
- 600096 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay / Siliconix
- Артикул:SQJ912BEP-T1_GE3
- Описание:Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8LВсе характеристики
Минимальная цена SQJ912BEP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ912BEP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
- Основные параметры:
- Тип: MOSFET N-канальный
- Количество каналов: Двойной (DUAL)
- Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 40В
- Пакет: PPSO-8L
- Плюсы:
- Высокая надежность
- Малый размер и легкий вес
- Высокая скорость переключения
- Низкое сопротивление на проводимость при номинальном напряжении
- Минусы:
- Требует дополнительного управления для работы в режиме тока
- Высокие потери тепла при больших токах
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения
- Управление электрическими нагрузками
- Приведение сигналов к цифровому виду
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы
- Электронные устройства питания
- Инверторы и преобразователи
- Мобильные устройства
- Промышленное оборудование
Выбрано: Показать
Характеристики SQJ912BEP-T1_GE3
Техническая документация
SQJ912BEP-T1_GE3.pdf pdf. 0 kb