Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQJ956EP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3
;
SQJ956EP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ956EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SQJ956EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 312.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ956EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS)
    • Тип канала: N-канальный
    • Рейтинг напряжения: 60В
    • Форм-фактор: POWERPAK SO8
    • Номинальная мощность: 2 Ватта
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Эффективность в различных приложениях
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Относительная сложность проектирования для начинающих
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна
    • Уязвимость к электрическим шумам
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление током в электронных схемах
    • Изоляция сигналов
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
    • Управление нагрузками в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительное оборудование
    • Системы управления светом
    • Мощные источники питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ956EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26.7mOhm @ 5.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1395pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    34W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SQJ956

Техническая документация

 SQJ956EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4613 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    312 ₽
  • 10
    197 ₽
  • 100
    132 ₽
  • 1000
    95 ₽
  • 6000
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ956EP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SQJ956EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 312.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ956EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS)
    • Тип канала: N-канальный
    • Рейтинг напряжения: 60В
    • Форм-фактор: POWERPAK SO8
    • Номинальная мощность: 2 Ватта
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Эффективность в различных приложениях
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Относительная сложность проектирования для начинающих
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна
    • Уязвимость к электрическим шумам
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление током в электронных схемах
    • Изоляция сигналов
    • Уменьшение потерь энергии в системах питания
    • Управление нагрузками в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительное оборудование
    • Системы управления светом
    • Мощные источники питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SQJ956EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26.7mOhm @ 5.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1395pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    34W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SQJ956

Техническая документация

 SQJ956EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIZ346DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
    211Кешбэк 31 балл
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    213Кешбэк 31 балл
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    230Кешбэк 34 балла
    SIZ342ADT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
    236Кешбэк 35 баллов
    SI7972DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    245Кешбэк 36 баллов
    SQJ946EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
    247Кешбэк 37 баллов
    SIZ320DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
    253Кешбэк 37 баллов
    SQJB70EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    262Кешбэк 39 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    266Кешбэк 39 баллов
    SI7223DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    275Кешбэк 41 балл
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    281Кешбэк 42 балла
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    281Кешбэк 42 балла
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    281Кешбэк 42 балла
    SQJB04ELP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    283Кешбэк 42 балла
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    285Кешбэк 42 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    291Кешбэк 43 балла
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    294Кешбэк 44 балла
    SIS590DN-T1-GE3Транзистор: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
    294Кешбэк 44 балла
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    298Кешбэк 44 балла
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    298Кешбэк 44 балла
    SQJB02ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ958EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SQ9945BEY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    312Кешбэк 46 баллов
    SQJ956EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ340ADT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    317Кешбэк 47 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    319Кешбэк 47 баллов
    SIZ348DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    319Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП