Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ960EP-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 60V 8AВсе характеристики

Минимальная цена SQJ960EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ960EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SQJ960EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    735pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    34W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SQJ960
Техническая документация
 SQJ960EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1532 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    540 ₽
  • 10
    350 ₽
  • 100
    241 ₽
  • 500
    199 ₽
  • 3000
    163 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJ960EP-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 60V 8AВсе характеристики

Минимальная цена SQJ960EP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJ960EP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SQJ960EP-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    735pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    34W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SQJ960
Техническая документация
 SQJ960EP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ALD110900PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    1 433Кешбэк 214 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    411Кешбэк 61 балл
    NX3008CBKV,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    RJK03P9DPA-00#J5AТранзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET
    314Кешбэк 47 баллов
    DN2625DK6-GТранзистор: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
    519Кешбэк 77 баллов
    SI5935CDC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
    151Кешбэк 22 балла
    FDC6333CТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
    166Кешбэк 24 балла
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    56Кешбэк 8 баллов
    PMDXB950UPEZТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
    93Кешбэк 13 баллов
    FDMD8530Транзистор
    174Кешбэк 26 баллов
    SSD2007ATFТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    131Кешбэк 19 баллов
    IRF9952TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    220Кешбэк 33 балла
    PMCXB900UEZТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMC1029UFDB-7Транзистор
    226Кешбэк 33 балла
    NVMFD5489NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
    336Кешбэк 50 баллов
    CSD85302LTТранзистор: MOSFET 2N-CH
    319Кешбэк 47 баллов
    DMN67D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DMC3400SDW-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    62Кешбэк 9 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    725Кешбэк 108 баллов
    DMC4047LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
    191Кешбэк 28 баллов
    EFC6612R-TFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
    71Кешбэк 10 баллов
    FDMS3624SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    217Кешбэк 32 балла
    PMDPB95XNE,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    15Кешбэк 2 балла
    SI4936CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
    187Кешбэк 28 баллов
    FDMD84100Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
    575Кешбэк 86 баллов
    NTHD5905T1Транзистор: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
    35.5Кешбэк 5 баллов
    NTMD4840NR2GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
    121Кешбэк 18 баллов
    RJK0216DPA-00#J53Транзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    351Кешбэк 52 балла
    FDJ1027PТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    71Кешбэк 10 баллов
    BUK7K6R2-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
    617Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП