Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SQJB04ELP-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQJB04ELP-T1_GE3

SQJB04ELP-T1_GE3

SQJB04ELP-T1_GE3
;
SQJB04ELP-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJB04ELP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MВсе характеристики

Минимальная цена SQJB04ELP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 283.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJB04ELP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJB04ELP-T1_GE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SQJB04ELP-T1_GE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Основные параметры:

  • Тип: Двухканальный н-типа транзистор
  • Напряжение блокировки: 40 В
  • Размеры корпуса: 3 мм x 4 мм
  • Температурный коэффициент: 175°C

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству.
  • Экономичное потребление энергии за счет малого тепловыделения.
  • Устойчивость к перенапряжению благодаря высокому напряжению блокировки.
  • Малый размер корпуса позволяет использовать транзистор в компактных устройствах.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогами из других производителей.
  • Ограниченная мощность из-за малого размера корпуса.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих высокой скорости включения/выключения.
  • Применение в системах управления двигателей.
  • В составе регуляторов напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы, такие как системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование, где требуется управление высокими токами.
  • Электронные устройства, использующие систему питания с регулировкой напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJB04ELP-T1_GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1055pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual

Техническая документация

 SQJB04ELP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 19687 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    283 ₽
  • 10
    179 ₽
  • 500
    94 ₽
  • 3000
    67 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SQJB04ELP-T1_GE3
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MВсе характеристики

Минимальная цена SQJB04ELP-T1_GE3 при покупке от 1 шт 283.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQJB04ELP-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQJB04ELP-T1_GE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SQJB04ELP-T1_GE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Основные параметры:

  • Тип: Двухканальный н-типа транзистор
  • Напряжение блокировки: 40 В
  • Размеры корпуса: 3 мм x 4 мм
  • Температурный коэффициент: 175°C

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству.
  • Экономичное потребление энергии за счет малого тепловыделения.
  • Устойчивость к перенапряжению благодаря высокому напряжению блокировки.
  • Малый размер корпуса позволяет использовать транзистор в компактных устройствах.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогами из других производителей.
  • Ограниченная мощность из-за малого размера корпуса.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих высокой скорости включения/выключения.
  • Применение в системах управления двигателей.
  • В составе регуляторов напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы, такие как системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование, где требуется управление высокими токами.
  • Электронные устройства, использующие систему питания с регулировкой напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики SQJB04ELP-T1_GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1055pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    27W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual

Техническая документация

 SQJB04ELP-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIZ346DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
    211Кешбэк 31 балл
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    213Кешбэк 31 балл
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    230Кешбэк 34 балла
    SIZ342ADT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
    236Кешбэк 35 баллов
    SI7972DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    245Кешбэк 36 баллов
    SQJ946EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
    247Кешбэк 37 баллов
    SIZ320DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
    253Кешбэк 37 баллов
    SQJB70EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    262Кешбэк 39 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    266Кешбэк 39 баллов
    SI7223DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    275Кешбэк 41 балл
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    281Кешбэк 42 балла
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    281Кешбэк 42 балла
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    281Кешбэк 42 балла
    SQJB04ELP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    283Кешбэк 42 балла
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    285Кешбэк 42 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    291Кешбэк 43 балла
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    294Кешбэк 44 балла
    SIS590DN-T1-GE3Транзистор: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
    294Кешбэк 44 балла
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    298Кешбэк 44 балла
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    298Кешбэк 44 балла
    SQJB02ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ958EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SQ9945BEY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    312Кешбэк 46 баллов
    SQJ956EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ340ADT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    317Кешбэк 47 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    319Кешбэк 47 баллов
    SIZ348DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    319Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП