SSM6L36TU,LF

SSM6L36TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH

• Основные параметры:
• N-канальный малосигнальный MOSFET: Сопротивление на проводимость возрастает при увеличении напряжения на входе (GATE).
• P-канальный малосигнальный MOSFET: Сопротивление на проводимость уменьшается при увеличении напряжения на входе (GATE).
• Рабочее напряжение (VDS): 36 В.
• Предел тока (ID): 10 А для N-канального и 2 А для P-канального.
• Предел тока заряда (Qg): 55 нКл.
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения.
• Малое энергетическое затратное сопротивление.
• Низкий уровень шума.
• Устойчивость к импульсным перенапряжениям.
• Минусы:
• Высокие требования к защите от перегрузки.
• Сложность в проектировании для высоковольтных приложений.
• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых цепях.
• Переключение и регулировка напряжений.
• Фильтрация и стабилизация сигналов.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника.
• Мобильные устройства.
• Электронные часы.
• Беспроводные устройства.
• Игровые приставки.