Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SSM6P36TU,LF
  • В избранное
  • В сравнение
SSM6P36TU,LF

SSM6P36TU,LF

SSM6P36TU,LF
;
SSM6P36TU,LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6P36TU,LF
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDSВсе характеристики

Минимальная цена SSM6P36TU,LF при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6P36TU,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6P36TU,LF

SSM6P36TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

  • VDS (Рабочее напряжение между дреном и снимом): 36 В
  • Тип транзистора: Малосигнальный MOSFET с положительным каналом
  • Количество устройств: 2 шт.

Основные параметры:

  • IDSS (Максимальное статическое токовое сопротивление): 100 мА
  • RDS(on) (Сопротивление канала в ON-состоянии): ≤ 45 мО при VGS = 10 В
  • TF (Падение напряжения при переходе из ON в OFF): ≤ 10 В при I = 100 мА
  • VGS(th) (Напряжение порога): ≤ 2 В

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое сопротивление канала в режиме ON
  • Малый ток утечки при OFF
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
  • Уязвимость к электрическому шуму

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях
  • Управление низковольтными нагрузками
  • Фильтрация и преобразование сигналов
  • Изоляция логических цепей

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Компьютерная периферия
  • Стационарные электронные устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6P36TU,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    330mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    UF6
  • Base Product Number
    SSM6P36

Техническая документация

 SSM6P36TU,LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 3651 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    94 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    25 ₽
  • 6000
    18.6 ₽
  • 15000
    16 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    SSM6P36TU,LF
  • Описание:
    Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDSВсе характеристики

Минимальная цена SSM6P36TU,LF при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SSM6P36TU,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SSM6P36TU,LF

SSM6P36TU, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

  • VDS (Рабочее напряжение между дреном и снимом): 36 В
  • Тип транзистора: Малосигнальный MOSFET с положительным каналом
  • Количество устройств: 2 шт.

Основные параметры:

  • IDSS (Максимальное статическое токовое сопротивление): 100 мА
  • RDS(on) (Сопротивление канала в ON-состоянии): ≤ 45 мО при VGS = 10 В
  • TF (Падение напряжения при переходе из ON в OFF): ≤ 10 В при I = 100 мА
  • VGS(th) (Напряжение порога): ≤ 2 В

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое сопротивление канала в режиме ON
  • Малый ток утечки при OFF
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
  • Уязвимость к электрическому шуму

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых цепях
  • Управление низковольтными нагрузками
  • Фильтрация и преобразование сигналов
  • Изоляция логических цепей

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Компьютерная периферия
  • Стационарные электронные устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SSM6P36TU,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    330mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    UF6
  • Base Product Number
    SSM6P36

Техническая документация

 SSM6P36TU,LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP80N03MDE-S18-AY80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,
    348Кешбэк 52 балла
    EAB450M12XM3Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
    166 451Кешбэк 24 967 баллов
    CAR600M17HN6Транзистор: 600A 1700V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    555 522Кешбэк 83 328 баллов
    CAB500M17HM3500A 1700V SIC HALF-BRIDGE
    660 012Кешбэк 99 001 балл
    CAR600M12HN6Транзистор: 600A 1200V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    527 732Кешбэк 79 159 баллов
    NX6008NBKSXТранзистор: NX6008NBKS/SOT363/SC-88
    52Кешбэк 7 баллов
    NX138BKSXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
    50Кешбэк 7 баллов
    BUK9K22-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
    434Кешбэк 65 баллов
    BUK7K23-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    244Кешбэк 36 баллов
    NX3008NBKSHТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BUK9K20-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
    422Кешбэк 63 балла
    BUK9K13-60RAXТранзистор: BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    454Кешбэк 68 баллов
    BUK9K30-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    395Кешбэк 59 баллов
    BUK9K52-60RAXТранзистор: BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    298Кешбэк 44 балла
    NX1029XHТранзистор: NX1029X/SOT666/SOT6
    120Кешбэк 18 баллов
    BSS138BKSHТранзистор: BSS138BKS/SOT363/SC-88
    59Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDBQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
    123Кешбэк 18 баллов
    DMP2040USD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
    147Кешбэк 22 балла
    DMC4040SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
    222Кешбэк 33 балла
    DMC1030UFDBQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
    67Кешбэк 10 баллов
    DMN3016LDV-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
    166Кешбэк 24 балла
    TQM110NB04DCR RLGТранзистор: 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    306Кешбэк 45 баллов
    TSM200N03DPQ33 RGGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
    172Кешбэк 25 баллов
    TSM250NB06DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    256Кешбэк 38 баллов
    TSM150NB04DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM250NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 30A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    183Кешбэк 27 баллов
    TSM110NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    222Кешбэк 33 балла
    TSM150NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM300NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 25A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    244Кешбэк 36 баллов
    TSM250NB06LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    228Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП