Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
STAC2942BW
  • В избранное
  • В сравнение
STAC2942BW

STAC2942BW

STAC2942BW
;
STAC2942BW

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STAC2942BW
  • Описание:
    Транзистор: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244BВсе характеристики

Минимальная цена STAC2942BW при покупке от 1 шт 26847.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STAC2942BW с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STAC2942BW

STAC2942BW STMicroelectronics Транзистор: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный транзистор
    • Рабочая мощность: 350 Вт
    • Рабочая частота: до 1 GHz
    • Входное напряжение (VGS(th)): 4,5 В
    • Ток дrain при VGS = 10 В (ID(on)): 24 А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и рабочая частота для радиоприемников и передатчиков
    • Низкий порог включения (VGS(th)) обеспечивает быстрое управление
    • Высокий ток дrain позволяет обрабатывать большие сигналы
    • Стабильные характеристики при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с более простыми транзисторами
  • Общее назначение: Используется в радиоэлектронных устройствах, особенно в радиоприемниках и передатчиках, где требуется обработка высокочастотных сигналов и высокая мощность.
  • Применяется в:
    • Спутниковых системах связи
    • Долговолновых радиостанциях
    • Радарах
    • Радиоприемниках высокой мощности
Выбрано: Показать

Характеристики STAC2942BW

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    175MHz
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    40A
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    450W
  • Нормальное напряжение
    130 V
  • Корпус
    STAC244F
  • Исполнение корпуса
    STAC244F
  • Base Product Number
    STAC2942

Техническая документация

 STAC2942BW.pdf
pdf. 0 kb
  • 101 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 847 ₽
  • 10
    22 695 ₽
  • 80
    20 676 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STAC2942BW
  • Описание:
    Транзистор: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244BВсе характеристики

Минимальная цена STAC2942BW при покупке от 1 шт 26847.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STAC2942BW с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STAC2942BW

STAC2942BW STMicroelectronics Транзистор: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный транзистор
    • Рабочая мощность: 350 Вт
    • Рабочая частота: до 1 GHz
    • Входное напряжение (VGS(th)): 4,5 В
    • Ток дrain при VGS = 10 В (ID(on)): 24 А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и рабочая частота для радиоприемников и передатчиков
    • Низкий порог включения (VGS(th)) обеспечивает быстрое управление
    • Высокий ток дrain позволяет обрабатывать большие сигналы
    • Стабильные характеристики при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с более простыми транзисторами
  • Общее назначение: Используется в радиоэлектронных устройствах, особенно в радиоприемниках и передатчиках, где требуется обработка высокочастотных сигналов и высокая мощность.
  • Применяется в:
    • Спутниковых системах связи
    • Долговолновых радиостанциях
    • Радарах
    • Радиоприемниках высокой мощности
Выбрано: Показать

Характеристики STAC2942BW

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    175MHz
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    40A
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    450W
  • Нормальное напряжение
    130 V
  • Корпус
    STAC244F
  • Исполнение корпуса
    STAC244F
  • Base Product Number
    STAC2942

Техническая документация

 STAC2942BW.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CGHV40030FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440166
    43 577Кешбэк 6 536 баллов
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07
    13 856Кешбэк 2 078 баллов
    MRF160Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 249-06
    11 870Кешбэк 1 780 баллов
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    188 422Кешбэк 28 263 балла
    UF2820PТранзистор: MOSFET 20W 28V 100-500MHZ
    26 397Кешбэк 3 959 баллов
    MRF176GVТранзистор: FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04
    53 018Кешбэк 7 952 балла
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    20.4Кешбэк 3 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    6 947Кешбэк 1 042 балла
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ309Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    89Кешбэк 13 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    100Кешбэк 15 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    102Кешбэк 15 баллов
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    35.4Кешбэк 5 баллов
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 201Кешбэк 180 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLF8G10LS-160,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
    13 969Кешбэк 2 095 баллов
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    2 990Кешбэк 448 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 080Кешбэк 1 962 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП