Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STD4NK60Z-1
  • В избранное
  • В сравнение
STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1
;
STD4NK60Z-1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STD4NK60Z-1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 4A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена STD4NK60Z-1 при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STD4NK60Z-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: IPAK (Интегральная Пакетная Аккумуляторная Камера)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток резонанса
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
    • Могут быть ограничения по тепловым характеристикам без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контроль питания в различных приборах и системах
    • Переключение нагрузок в электронных устройствах
    • Управление потребителями в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Питательных блоках
    • Распределительных панелях
    • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики STD4NK60Z-1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    STD4NK60

Техническая документация

 STD4NK60Z-1.pdf
pdf. 0 kb
  • 318 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    199 ₽
  • 75
    88 ₽
  • 525
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STD4NK60Z-1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 4A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена STD4NK60Z-1 при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STD4NK60Z-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 4А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: IPAK (Интегральная Пакетная Аккумуляторная Камера)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток резонанса
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
    • Могут быть ограничения по тепловым характеристикам без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контроль питания в различных приборах и системах
    • Переключение нагрузок в электронных устройствах
    • Управление потребителями в системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Питательных блоках
    • Распределительных панелях
    • Промышленных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики STD4NK60Z-1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    510 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    STD4NK60

Техническая документация

 STD4NK60Z-1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STD4NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    STD80N4F6MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    STQ1NC45R-APMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    200Кешбэк 30 баллов
    STP5NK60ZMOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    STP2NK100ZMOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
    204Кешбэк 30 баллов
    STL17N65M5MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
    205Кешбэк 30 баллов
    STP105N3LLMOSFET N-CH 30V 80A TO220
    207Кешбэк 31 балл
    STQ1NK80ZR-APMOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
    209Кешбэк 31 балл
    STL19N65M5MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
    210Кешбэк 31 балл
    STD2HNK60Z-1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
    210Кешбэк 31 балл
    STQ1HNK60R-APТранзистор: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
    212Кешбэк 31 балл
    STD12NF06T4MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    STF13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
    212Кешбэк 31 балл
    STR2N2VH5MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
    214Кешбэк 32 балла
    STP5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
    220Кешбэк 33 балла
    STP36NF06LMOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
    221Кешбэк 33 балла
    STF2HNK60ZТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
    222Кешбэк 33 балла
    STB60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    224Кешбэк 33 балла
    STS5N15F3MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
    225Кешбэк 33 балла
    STF6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
    226Кешбэк 33 балла
    STD10P10F6MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    228Кешбэк 34 балла
    STB150N3LH6MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
    234Кешбэк 35 баллов
    STD18NF03LMOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    STD4NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    238Кешбэк 35 баллов
    STD1NK60T4MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    239Кешбэк 35 баллов
    STD7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    242Кешбэк 36 баллов
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    243Кешбэк 36 баллов
    STD13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    243Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП