Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
STE145N65M5
  • В избранное
  • В сравнение
STE145N65M5

STE145N65M5

STE145N65M5
;
STE145N65M5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STE145N65M5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена STE145N65M5 при покупке от 1 шт 6717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STE145N65M5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STE145N65M5

STE145N65M5 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-Channel), работающий под напряжением до 650В и способный переносить ток до 143А.

  • Основные параметры:
  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 650В
  • Ток пропускания (ID(on)): 143А
  • Частота резонанса: 1МГц (максимальная)
  • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в высокочастотных системах.
  • Низкий сопротивление канала при работе, что обеспечивает минимальное энергопотребление.
  • Устойчивость к тепловому стрессу, что делает его подходящим для высокотемпературных условий.

Минусы:

  • Высокие затраты на производство, особенно в сравнении с другими типами транзисторов.
  • Высокая чувствительность к электрическому шуму, что требует дополнительных мер защиты.
  • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного высокого тепловыделения.

Общее назначение: STE145N65M5 используется в различных приложениях, где требуется высокая скорость включения и выключения, а также высокие значения тока и напряжения. Это включает:

  • Источники питания
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
  • Светодиодные источники освещения
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики STE145N65M5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    143A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 69A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    414 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    679W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    ISOTOP
  • Base Product Number
    STE145

Техническая документация

 STE145N65M5.pdf
pdf. 0 kb
  • 82 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 717 ₽
  • 5
    6 222 ₽
  • 10
    5 728 ₽
  • 50
    5 371 ₽
  • 100
    5 011 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STE145N65M5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена STE145N65M5 при покупке от 1 шт 6717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STE145N65M5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STE145N65M5

STE145N65M5 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-Channel), работающий под напряжением до 650В и способный переносить ток до 143А.

  • Основные параметры:
  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 650В
  • Ток пропускания (ID(on)): 143А
  • Частота резонанса: 1МГц (максимальная)
  • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в высокочастотных системах.
  • Низкий сопротивление канала при работе, что обеспечивает минимальное энергопотребление.
  • Устойчивость к тепловому стрессу, что делает его подходящим для высокотемпературных условий.

Минусы:

  • Высокие затраты на производство, особенно в сравнении с другими типами транзисторов.
  • Высокая чувствительность к электрическому шуму, что требует дополнительных мер защиты.
  • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного высокого тепловыделения.

Общее назначение: STE145N65M5 используется в различных приложениях, где требуется высокая скорость включения и выключения, а также высокие значения тока и напряжения. Это включает:

  • Источники питания
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
  • Светодиодные источники освещения
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики STE145N65M5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    143A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 69A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    414 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    679W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    ISOTOP
  • Base Product Number
    STE145

Техническая документация

 STE145N65M5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STE145N65M5MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
    6 717Кешбэк 1 007 баллов
    STE40NC60MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
    7 716Кешбэк 1 157 баллов
    STE88N65M5MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
    8 206Кешбэк 1 230 баллов
    STE70NM60MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    10 771Кешбэк 1 615 баллов
    APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
    4 951Кешбэк 742 балла
    APT10M11JVRU3MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 226Кешбэк 783 балла
    APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
    5 226Кешбэк 783 балла
    APT51F50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
    5 262Кешбэк 789 баллов
    APT50M75JLLU2MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
    5 332Кешбэк 799 баллов
    APT5010JVRU2MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
    5 689Кешбэк 853 балла
    APT47M60JMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
    5 773Кешбэк 865 баллов
    APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
    5 885Кешбэк 882 балла
    APT50M65JLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 378Кешбэк 1 256 баллов
    APT50M65JFLLMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
    8 547Кешбэк 1 282 балла
    APT10045JLLMOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
    8 746Кешбэк 1 311 баллов
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    9 911Кешбэк 1 486 баллов
    APT41F100JMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
    11 149Кешбэк 1 672 балла
    APL502JMOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
    11 283Кешбэк 1 692 балла
    APT58M80JMOSFET N-CH 800V 60A SOT227
    11 384Кешбэк 1 707 баллов
    APT50M38JLLMOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
    14 574Кешбэк 2 186 баллов
    APT60M60JLLMOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    17 980Кешбэк 2 697 баллов
    APT10021JFLLMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
    19 204Кешбэк 2 880 баллов
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    22 003Кешбэк 3 300 баллов
    APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    26 216Кешбэк 3 932 балла
    APTM20AM04FGТранзистор: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
    48 378Кешбэк 7 256 баллов
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    7 246Кешбэк 1 086 баллов
    FD6M033N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    890Кешбэк 133 балла
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 326Кешбэк 198 баллов
    IXTN60N50L2MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
    9 302Кешбэк 1 395 баллов
    BSM120D12P2C005Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
    79 759Кешбэк 11 963 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП