Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
STE145N65M5
  • В избранное
  • В сравнение
STE145N65M5

STE145N65M5

STE145N65M5
;
STE145N65M5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STE145N65M5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена STE145N65M5 при покупке от 1 шт 6572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STE145N65M5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STE145N65M5

STE145N65M5 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-Channel), работающий под напряжением до 650В и способный переносить ток до 143А.

  • Основные параметры:
  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 650В
  • Ток пропускания (ID(on)): 143А
  • Частота резонанса: 1МГц (максимальная)
  • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в высокочастотных системах.
  • Низкий сопротивление канала при работе, что обеспечивает минимальное энергопотребление.
  • Устойчивость к тепловому стрессу, что делает его подходящим для высокотемпературных условий.

Минусы:

  • Высокие затраты на производство, особенно в сравнении с другими типами транзисторов.
  • Высокая чувствительность к электрическому шуму, что требует дополнительных мер защиты.
  • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного высокого тепловыделения.

Общее назначение: STE145N65M5 используется в различных приложениях, где требуется высокая скорость включения и выключения, а также высокие значения тока и напряжения. Это включает:

  • Источники питания
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
  • Светодиодные источники освещения
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики STE145N65M5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    143A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 69A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    414 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    679W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    ISOTOP
  • Base Product Number
    STE145

Техническая документация

 STE145N65M5.pdf
pdf. 0 kb
  • 46 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 572 ₽
  • 5
    5 705 ₽
  • 10
    4 835 ₽
  • 50
    4 512 ₽
  • 100
    4 188 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STE145N65M5
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена STE145N65M5 при покупке от 1 шт 6572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STE145N65M5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STE145N65M5

STE145N65M5 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (N-Channel), работающий под напряжением до 650В и способный переносить ток до 143А.

  • Основные параметры:
  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 650В
  • Ток пропускания (ID(on)): 143А
  • Частота резонанса: 1МГц (максимальная)
  • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в высокочастотных системах.
  • Низкий сопротивление канала при работе, что обеспечивает минимальное энергопотребление.
  • Устойчивость к тепловому стрессу, что делает его подходящим для высокотемпературных условий.

Минусы:

  • Высокие затраты на производство, особенно в сравнении с другими типами транзисторов.
  • Высокая чувствительность к электрическому шуму, что требует дополнительных мер защиты.
  • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного высокого тепловыделения.

Общее назначение: STE145N65M5 используется в различных приложениях, где требуется высокая скорость включения и выключения, а также высокие значения тока и напряжения. Это включает:

  • Источники питания
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
  • Светодиодные источники освещения
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики STE145N65M5

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    143A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 69A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    414 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    679W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Корпус
    ISOTOP
  • Base Product Number
    STE145

Техническая документация

 STE145N65M5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    6 609Кешбэк 991 балл
    IXFN100N50PТранзистор: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    8 771Кешбэк 1 315 баллов
    IXFN140N20PMOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
    5 498Кешбэк 824 балла
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    8 665Кешбэк 1 299 баллов
    IXTN200N10L2MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
    8 591Кешбэк 1 288 баллов
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 274Кешбэк 1 691 балл
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    8 126Кешбэк 1 218 баллов
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    5 344Кешбэк 801 балл
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 196Кешбэк 1 379 баллов
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 564Кешбэк 1 584 балла
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 087Кешбэк 1 663 балла
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    8 562Кешбэк 1 284 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    10 954Кешбэк 1 643 балла
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    10 792Кешбэк 1 618 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 267Кешбэк 940 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 400Кешбэк 1 110 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    8 444Кешбэк 1 266 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 094Кешбэк 1 064 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    7 970Кешбэк 1 195 баллов
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    5 831Кешбэк 874 балла
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    8 948Кешбэк 1 342 балла
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 035Кешбэк 755 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 014Кешбэк 1 352 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 554Кешбэк 983 балла
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 027Кешбэк 1 504 балла
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 294Кешбэк 1 394 балла
    IXFN32N120PMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
    13 244Кешбэк 1 986 баллов
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 490Кешбэк 1 273 балла
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 669Кешбэк 850 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП