Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STF10P6F6
  • В избранное
  • В сравнение
STF10P6F6

STF10P6F6

STF10P6F6
;
STF10P6F6

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STF10P6F6
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 10A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF10P6F6 при покупке от 1 шт 229.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF10P6F6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF10P6F6

STF10P6F6 MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 10А
    • Объемный оболочка: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии
    • Устойчивость к электрическим и термическим нагрузкам
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
    • Не рекомендуется использовать при частых скачках напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока в электронных цепях
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Изоляция между различными блоками питания или системами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие устройства
    • Мощные преобразователи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики STF10P6F6

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 48 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    20W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF10P

Техническая документация

 STF10P6F6.pdf
pdf. 0 kb
  • 531 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    229 ₽
  • 10
    149 ₽
  • 500
    104 ₽
  • 5000
    93 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STF10P6F6
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 10A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF10P6F6 при покупке от 1 шт 229.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF10P6F6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF10P6F6

STF10P6F6 MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 10А
    • Объемный оболочка: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малые потери энергии
    • Устойчивость к электрическим и термическим нагрузкам
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
    • Не рекомендуется использовать при частых скачках напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока в электронных цепях
    • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
    • Изоляция между различными блоками питания или системами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Энергосберегающие устройства
    • Мощные преобразователи
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики STF10P6F6

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 48 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    20W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF10P

Техническая документация

 STF10P6F6.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI3442BDV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
    83Кешбэк 12 баллов
    SI8413DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
    267Кешбэк 40 баллов
    SI4890DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    834Кешбэк 125 баллов
    SIHD3N50D-E3MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
    131Кешбэк 19 баллов
    SI7804DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
    170Кешбэк 25 баллов
    IRF720STRRPBFMOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
    293Кешбэк 43 балла
    IRF9Z24STRRPBFMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFZ24STRLPBFMOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
    371Кешбэк 55 баллов
    SI4451DY-T1-E3MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
    1 598Кешбэк 239 баллов
    IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
    150Кешбэк 22 балла
    IRFBC30STRLPBFMOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
    447Кешбэк 67 баллов
    SIHW33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
    988Кешбэк 148 баллов
    SI4408DY-T1-E3MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
    667Кешбэк 100 баллов
    IRF740ASTRRPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    417Кешбэк 62 балла
    IRFR9120TRPBFMOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
    489Кешбэк 73 балла
    IRLR014MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    261Кешбэк 39 баллов
    IRF540SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    333Кешбэк 49 баллов
    IRFP264PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
    2 021Кешбэк 303 балла
    SI9424DYMOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
    302Кешбэк 45 баллов
    SI2308BDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    78Кешбэк 11 баллов
    SUD50P04-09L-E3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    445Кешбэк 66 баллов
    STB16N65M5MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    757Кешбэк 113 баллов
    ZXMN15A27KTCMOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
    277Кешбэк 41 балл
    HUF75329D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    163Кешбэк 24 балла
    FDD5670POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
    232Кешбэк 34 балла
    MTM761110LBFMOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
    85Кешбэк 12 баллов
    MTM761230LBFMOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
    120Кешбэк 18 баллов
    MTM982400BBFMOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B
    167Кешбэк 25 баллов
    FK3306010LMOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
    60Кешбэк 9 баллов
    RFP15N05LMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП