Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STF26N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STF26N60M2

STF26N60M2

STF26N60M2
;
STF26N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STF26N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF26N60M2 при покупке от 1 шт 651.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF26N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF26N60M2

STF26N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Размер тока: 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный вариант: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Уменьшение энергопотерь благодаря низкому коэффициенту проводимости
    • Быстрое включение и выключение
    • Низкий ток утечки при отключенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с IGBT
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Коммутация высоковольтных и высокоточных цепей
    • Использование в преобразователях мощности
    • Способность к быстрой коммутации, что важно для цифровых систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для питания электроники
    • Цифровые системы управления
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики STF26N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF26

Техническая документация

 STF26N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 844 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    651 ₽
  • 50
    322 ₽
  • 100
    298 ₽
  • 500
    241 ₽
  • 1000
    223 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STF26N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FPВсе характеристики

Минимальная цена STF26N60M2 при покупке от 1 шт 651.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STF26N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STF26N60M2

STF26N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Размер тока: 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный вариант: TO220FP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Уменьшение энергопотерь благодаря низкому коэффициенту проводимости
    • Быстрое включение и выключение
    • Низкий ток утечки при отключенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с IGBT
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Коммутация высоковольтных и высокоточных цепей
    • Использование в преобразователях мощности
    • Способность к быстрой коммутации, что важно для цифровых систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для питания электроники
    • Цифровые системы управления
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики STF26N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    STF26

Техническая документация

 STF26N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP120NF10Транзистор: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
    624Кешбэк 93 балла
    STP9NK50ZMOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
    626Кешбэк 93 балла
    STF33N65M2MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
    626Кешбэк 93 балла
    STP10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    630Кешбэк 94 балла
    STP15NK50ZMOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
    632Кешбэк 94 балла
    STP24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220
    632Кешбэк 94 балла
    STF28N60M2MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
    632Кешбэк 94 балла
    STP9NK70ZFPMOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
    634Кешбэк 95 баллов
    STP20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    634Кешбэк 95 баллов
    STW9NK95ZMOSFET N-CH 950V 7A TO247
    634Кешбэк 95 баллов
    STL135N8F7AGMOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
    636Кешбэк 95 баллов
    STF8NK100ZMOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
    636Кешбэк 95 баллов
    STP28N65M2Транзистор: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
    638Кешбэк 95 баллов
    STFI7N80K5MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
    639Кешбэк 95 баллов
    STW12NK80ZMOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
    639Кешбэк 95 баллов
    STP24NM60NMOSFET N-CH 600V 17A TO220
    639Кешбэк 95 баллов
    STB200NF03T4MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    647Кешбэк 97 баллов
    STP140NF75MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    647Кешбэк 97 баллов
    STP33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO220
    647Кешбэк 97 баллов
    STB7NK80ZT4MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
    647Кешбэк 97 баллов
    STF5N105K5MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
    649Кешбэк 97 баллов
    STF26N60M2MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
    651Кешбэк 97 баллов
    STH140N8F7-2MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
    653Кешбэк 97 баллов
    STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247
    655Кешбэк 98 баллов
    STL130N8F7MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
    657Кешбэк 98 баллов
    STB80NF55-06T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    657Кешбэк 98 баллов
    STL15N65M5MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
    658Кешбэк 98 баллов
    STB24N60DM2MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
    660Кешбэк 99 баллов
    STP10NK60ZFPТранзистор: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
    662Кешбэк 99 баллов
    STP80N10F7MOSFET N-CH 100V 80A TO220
    662Кешбэк 99 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП