Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STFI26N60M2
  • В избранное
  • В сравнение
STFI26N60M2

STFI26N60M2

STFI26N60M2
;
STFI26N60M2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFI26N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFPВсе характеристики

Минимальная цена STFI26N60M2 при покупке от 1 шт 707.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFI26N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFI26N60M2

STFI26N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток (ID): 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: I2PAKFP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление
    • Удобство установки из-за компактного размера пакета
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях напряжения
    • Управление электрическими машинами и механизмами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные источники питания
    • Системы преобразования энергии
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики STFI26N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAKFP (TO-281)
  • Корпус
    TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Base Product Number
    STFI26N

Техническая документация

 STFI26N60M2.pdf
pdf. 0 kb
  • 1494 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    707 ₽
  • 50
    362 ₽
  • 100
    329 ₽
  • 500
    289 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    STFI26N60M2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFPВсе характеристики

Минимальная цена STFI26N60M2 при покупке от 1 шт 707.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STFI26N60M2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STFI26N60M2

STFI26N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 600В
    • Номинальный ток (ID): 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: I2PAKFP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление
    • Удобство установки из-за компактного размера пакета
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях напряжения
    • Управление электрическими машинами и механизмами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные источники питания
    • Системы преобразования энергии
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики STFI26N60M2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAKFP (TO-281)
  • Корпус
    TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Base Product Number
    STFI26N

Техническая документация

 STFI26N60M2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    121Кешбэк 18 баллов
    FDD6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF75309P3MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF76423D3SMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    123Кешбэк 18 баллов
    FQI2N30TUMOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
    123Кешбэк 18 баллов
    HUF76423D3MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    FQP2N50MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    FQP5N30MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
    123Кешбэк 18 баллов
    FDU8796MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFR1208.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
    127Кешбэк 19 баллов
    FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
    129Кешбэк 19 баллов
    FDD6696MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P103MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P102MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FDFS2P103AMOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    131Кешбэк 19 баллов
    FQP5N50CТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
    133Кешбэк 19 баллов
    FDU6296MOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FQI5N30TUMOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FDD8878Транзистор: MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
    139Кешбэк 20 баллов
    FDMS8692MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
    141Кешбэк 21 балл
    FDT461NMOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
    141Кешбэк 21 балл
    FQU10N20TUMOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
    141Кешбэк 21 балл
    HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    141Кешбэк 21 балл
    IRFS634B_FP001MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
    141Кешбэк 21 балл
    FQI3N30TUMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    141Кешбэк 21 балл
    FDD6612AMOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
    142Кешбэк 21 балл
    FQI32N12V2TUMOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
    142Кешбэк 21 балл
    FDD8782MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    144Кешбэк 21 балл
    FDD6780A16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL
    146Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП