Вход/Регистрация
STGIPN3H60IGBT IPM MODULE 3A 600V NDIP-26L
STGIPN3H60T-H
STGIPN3H60T-H
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGIPN3H60T-H
- Описание:MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIPВсе характеристики
Минимальная цена STGIPN3H60T-H при покупке от 1 шт 1768.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGIPN3H60T-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 21 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 11 768 ₽
- 101 135 ₽
- 100905 ₽
- 476801 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:STMicroelectronics
- Артикул:STGIPN3H60T-H
- Описание:MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIPВсе характеристики
Минимальная цена STGIPN3H60T-H при покупке от 1 шт 1768.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGIPN3H60T-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание STGIPN3H60T-H
STGIPN3H60T-H STMicroelectronics MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIP
- Основные параметры:
- Мощность: 600 В
- Ток: 35 А
- Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Формат: NDIP (Negative Dual In-line Package)
- Стандарт: SLLIMM NANO
- Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Малый размер и толщина
- Улучшенная термическая стабильность
- Легкость интеграции в системы
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
- Необходимость дополнительных компонентов для защиты
- Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокую степень регулирования.
- Применение:
- Автомобильные системы
- Инверторы для электропитания
- Промышленное оборудование
- Системы управления двигателем
Выбрано: Показать
Характеристики STGIPN3H60T-H
Техническая документация
STGIPN3H60T-H.pdf pdf. 0 kb
