Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H
;
STGIPN3H60T-H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STGIPN3H60T-H при покупке от 1 шт 1686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGIPN3H60T-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H STMicroelectronics MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIP

  • Основные параметры:
    • Мощность: 600 В
    • Ток: 35 А
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Формат: NDIP (Negative Dual In-line Package)
    • Стандарт: SLLIMM NANO
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и толщина
    • Улучшенная термическая стабильность
    • Легкость интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокую степень регулирования.
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы для электропитания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики STGIPN3H60T-H

Техническая документация

STGIPN3H60T-H.pdf
pdf. 0 kb
  • 21 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 686 ₽
  • 10
    1 082 ₽
  • 100
    863 ₽
  • 476
    763 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена STGIPN3H60T-H при покупке от 1 шт 1686.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STGIPN3H60T-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H STMicroelectronics MOD IGBT SLLIMM NANO 26-NDIP

  • Основные параметры:
    • Мощность: 600 В
    • Ток: 35 А
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Формат: NDIP (Negative Dual In-line Package)
    • Стандарт: SLLIMM NANO
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и толщина
    • Улучшенная термическая стабильность
    • Легкость интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокую степень регулирования.
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы для электропитания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики STGIPN3H60T-H

Техническая документация

STGIPN3H60T-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории